硅的低温电学性质

本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×10¹²—1×10²⁰cm^-3含硼或磷(砷)Si的电学性质。对一些p-Si样品用弱场横向磁阻法及杂质激活能法进行了补偿度的测定,并进行了比较。从霍尔系数与温度关系的分析指出,对于较纯样品,硼受主能级的电离能为0.045eV,磷施主能级为0.045eV,在载流子浓度为10¹⁸—10¹⁹cm^-3时发现了费米简并,对载流子浓度为2×10¹⁷—1×10¹⁸cm^-3的p-Si及5×10¹⁷—4×10¹⁸cm^-3的n-Si观察到了杂质电导行为。从霍尔系数与电导率计算了非本征的霍尔迁移率。在100°—300°K间,晶格散射迁移率μ满足关系式AT^-a,其中A=2.1×10⁹,α=2.7(对空穴);或A=1.2×10⁸,α=2.0(对电子)。另外,根据我们的材料(载流子浓度在5×10¹¹—5×10²⁰cm^-3间),分别建立了一条电阻率与载流子浓度及电阻率与迁移率的关系曲线,以提供制备材料时参考之用。     

热处理硅中的新施主(Ⅱ)

本文继续研究了LSI常用的p型CZ硅单晶经700℃热处理后产生的新施主。在n型样品中,同样观察到新施主,其性质与p型的相同,但生成率和浓度较p型的低。新施主与热施主有密切关系,在300～800℃间预热处理都可以促进新施主的产生,其中450℃预热处理的促进作用最大。大于800℃预热处理则减少新施主的产生。新施主比热施主稳定,经1050℃、30小时的热处理,浓度约为1.33×10~(15)cm~(-3)的新施主只消除了68％。本文还较详细地讨论了新施主的本质和产生机理。     

热处理硅中的新施主(Ⅰ)

本文研究了LSI常用的p型CZ硅单晶经700℃热处理后产生的新施主。它与经450℃热处理后产生的热施主相似,都与杂质氧有十分密切关系。但是,新施主又具有很不相同的热处理特性,它的生成率比热施主慢。经长时间(100小时)热处理后,新施主的最高浓度为10~(16)cm~(-3),而且杂质碳能促进新施主的产生。关于新施主产生的机理问题也进行了扼要讨论。     

硅中热施主的电子结构

利用20—300K的Hall系数测量和6-300K的红外光吸收,研究了含氧P型CZ硅单晶经450℃不同时间热处理后所产生的热施主问题。Hall系数测量表明:经100hr热处理的样品存在两个施主能级:E₁=58meV,E₂=110meV。对不同热处理时间的样品,从低温红外光吸收则可看见由于热施主所引起的复杂吸收光谱。这些吸收峰的数目随着热处理时间的加长而增加和加强。利用类氢模型和有效质量理论拟会和计算,可以证明与氧有关的热施主很可能是双重电荷施主。这些双重施主有多种组态,它与450℃热处理的时间有关。 关键词：     

电阻率和霍耳系数的半自动测量系统

对于半导体材料的电阻率和霍耳系数的测量,可以得到标志材料性能的几个重要参数,如电阻率、电子或空穴载流子浓度、霍耳迁移率、补偿度、禁带宽度以及杂质能级位置等．国内过去一直采用电位差计、检流计或数字电压表来测量电压、电流信号,然后再用计算尺或计算器算出它的结果［１］．此法太费事,不方便．本工作采用一种新的系统来测量电阻率、霍耳系数等,能大大提高劳动效率、计算快而准确,减少了出错率．它的特点可以概?...     

人工智能技术在电气自动化控制中的应用

由于社会经济的不断发展,人们的日常工作和生活都具有了越来越高的智能化需求.在电气自动化控制中应用人工智能技术可以有效地降低电气自动化成本,并且使系统的运行效率获得极大的提升.本文分析并介绍了人工智能技术,对人工智能技术在电气自动化中的应用进行了深入研究.     

大圆片样品方块电阻测试及径向等高线图的绘制

本文用微机控制四探针测试系统,按着分区等差方法计算的连续点,描绘出半导体大圆片样品方块电阻的径向等高线图.