具有超晶格雪崩区的电子倍增型雪崩光电二极管

基于碰撞离化理论研究设计了In0.53 Ga0.47 As/In0.52 Al0.48As电子倍增超晶格结构雪崩光电二极管,使用MOCVD外延得到实验片,经过工艺流片后进行封装测试.测试结果显示,具有超晶格雪崩区的电子倍增型APD器件,其暗电流可以控制在纳安级,光电流增益达到140,证明具有超晶格雪崩区的电子倍增型雪崩光电二极管具有很好的光电探测性能.     

6株破囊壶菌的分离鉴定及脂肪酸组成研究

采用松花粉诱导法从海藻、腐木等海洋漂浮物上分离得到6株破囊壶菌, 其中菌株PC003、PC021、PC022为Schizochytrium属, 菌株PC004、PC014、PC060为Thraustochytrium属. 经分析, 分属2个属的菌株的脂肪酸差异较大, Schizochytrium属的3个菌株含有占总脂肪酸22%以上的二十二碳六烯酸(DHA), 8.3%以上的二十碳五烯酸(EPA), 9.4%以上的二十碳四烯酸(ARA)和19%以上的C16:0(软脂酸); Thraustochytrium属的3个菌株含有占总脂肪酸33%以上DHA, 7.8%以上的EPA, 和24.7%的C16:0. 其中, Thraustochytrium属菌株PC004的脂肪酸中DHA含量高达56.32%, 可培养成为DHA高产菌株. 结合6株菌之间的亲缘关系推测, 亲缘关系相近, 所产脂肪酸种类及含量相似, 因而从Thraustochytrium属中更容易筛选到DHA高产菌株.     

超晶格雪崩光电二极管的结构优化及性能研究

基于碰撞离化理论研究了异质材料超晶格结构对载流子离化率的作用,设计得到In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As超晶格结构的雪崩光电二极管。通过分析不同结构参数对器件性能的影响,得到了低隧道电流、高倍增因子的超晶格结构雪崩层,根据电场分布方程模拟了器件二维电场分布对电荷层厚度及掺杂的依赖关系,并优化了吸收层的结构参数。对优化得到的器件结构进行仿真并实际制作了探测器件,进行光电特性测试,与同结构普通雪崩光电二极管相比,超晶格雪崩光电二极管具有更强的光电流响应,在12.5~20 V的雪崩倍增区,超晶格雪崩光电二极管在具备高倍增因子的同时具有较低的暗电流,提高了器件的信噪比。