紫外光改性银阳极对绿光OLED器件性能的影响

为提升OLED器件(结构为Ag/NPB/Alq3/LiF/Al)的性能,采用紫外光(UV)对银(Ag)阳极进行改性,探究阳极改性对器件性能的影响.研究结果表明:UV改性Ag阳极的时长为50 s时,器件性能最佳,启亮电压从20 V降低到6V,最大亮度从101.6 cd/m2提高到5 609.2 cd/m2,电流效率得到很大提升,且改性前后其发光峰的位置没有改变.UV改性使Ag阳极表面氧化生成氧化物,该氧化物薄层可作为空穴注入层,能够有效提高界面功函数,大大降低空穴注入势垒,提高了载流子注入能力,使绿光OLED器件的发光性能得到改善.这种利用UV改性Ag阳极的方法工艺简单,能有效降低空穴注入势垒,对提高该类柔性OLED器件的性能具有一定应用价值.     

发光层厚度对基于CdSSe/ZnS量子点LED性能的影响

采用粒径约为10 nm的CdSSe/ZnS量子点层作为发光层,制备了叠层结构的量子点发光器件,研究了量子点层厚度对其薄膜形貌及量子点发光二极管性能的影响.原子力显微镜测试结果表明:量子点层过厚时,量子点颗粒发生团聚,且随着厚度的降低,团聚现象减弱;当量子点层厚度和量子点粒径相当时(约为10 nm),量子点呈单层排列且团聚现象基本消失;而量子点层厚度低于10 nm时,薄膜出现孔洞缺陷.器件的电流-电压-亮度等测试结果表明:量子点发光二极管中量子点层厚度与器件的光电特性密切相关,量子点层厚度为10 nm的器件光电性能最优,具有最低的启亮电压4.2V,最高的亮度446 cd/m2及最高的电流效率0.2 cd/A.这种通过控制旋涂转速改变量子点层厚度的方法操作简单、重复性好,对QD-LED的研究具有一定应用价值.     

哒嗪并吡咯二酮共轭聚合物半导体材料的合成及晶体管性能

采用Stille交叉偶联反应,合成了基于6-烷基吡咯[3,4-d]哒嗪-5,7-二酮(PPD)与吡咯并吡咯二酮(DPP)结构单元的受体-π-受体(A_1-π-A_2)型共轭聚合物(PPPD-DPP)。采用热重分析仪、紫外分光光度计、电化学工作站等表征了聚合物PPPD-DPP的性能,系统地研究了聚合物的热性能、光物理性能、电化学性能及晶体管性能。结果表明:聚合物PPPD-DPP具有良好的热稳定性,热分解温度达到376℃;薄膜的最大吸收峰位于702nm,光学能带隙为1.27eV;有较低的最高占据分子轨道能级(HOMO,-5.23eV)。基于PPPD-DPP的有机薄膜晶体管(OTFTs)器件在真空中显示出双极性传输特性,最高电子和空穴迁移率分别为0.030 cm~2/(V·s)和0.054cm~2/(V·s),在空气中PPPD-DPP器件则表现出明显的p型传输特性,空穴迁移率提升至0.121cm~2/(V·s)。     

有机酸修饰ITO对OLED器件性能的影响

分别采用二氯苯氧乙酸和溴乙酸对ITO表面进行修饰,研究其对OLED器件(ITO/PVK/ FIrPic:SimCP/TPBi/LiF/Al)性能的影响.结果显示,相较于未修饰的器件,采用二氯苯氧乙酸修饰后的器件最大亮度由673.4 cd/m2提升至1 875.2 cd/m2,同时器件的启亮电压由6.2V降至5.3V.研究发现,有机酸处理能够改变ITO的表面能和功函数,一方面改变ITO和后续膜层的接触性能,影响后续膜层的成膜;另一方面也可以有效减少ITO与有机层间的势垒,提升载流子注入.这种用有机酸修饰ITO阳极的方法工艺简单,能有效降低空穴注入势垒,优化ITO和有机层的接触性能,对器件性能的提升起到一定的促进作用.