全球数字广播DRM接收机射频芯片研究

研究并设计了一种应用于全球数字广播（Digital Radio Mondiale,DRM／DRM＋）接收机射频芯片系统结构,设计了相关模块和电路,包括一种高灵敏度有限空间内中短波宽带接收天线、基于噪声抵消和跨导线性技术的DRM第一中频下变频模块、带输出分频器的吞除脉冲式的频率综合器、DRM双正交镜像抑制混频器、中频可变增益放大器以及中频计数器模块等。芯片模块采用中芯国际（SMIC）0．18μm RF CMOS工艺实现,测试结果表明能够满足DRM接收机系统要求。     

C(sp3)—H键直接催化硅基化反应研究进展

含C(sp3)—Si键的有机硅化合物在材料科学、药物化学和精细化学品合成等研究领域有着广泛的应用.通过C(sp3)—H的直接催化硅基化形成C(sp3)—Si键具有高的原子经济性和步骤经济性特点,近些年己成为含C(sp3)—Si键的新型有机硅分子合成领域的一个研究热点.详细总结了 C(sp3)—H键直接催化硅基化反应的研...     

0.5μm CMOS 622Mb·s-1 LVDS驱动器芯片设计

文中采用0.5μm CMOS工艺设计并实现了LVDS驱动电路,整个电路由单端输入-差分输出转换电路、偏置电路、驱动输出电路和共模反馈电路组成。该电路芯片面积仅为0.47mm×0.35mm,测试结果表明,采用5V电源供电时直流功耗为30mW,输出电压摆幅及输出共模电平都满足TIA/EIA-644-A标准,电路最高工作速率高于622Mb·s~(-1),可以应用于LVDS传输系统。     

高速LVDS收发芯片的设计

本文设计了一种新型低功耗LVDS（Low Voltage Differential Signaling）收发电路。对比于传统的发射电路,本次设计片内集成了共模反馈控制,同时为了提高该电路的工作速度,还设计了一个电流补偿电路来改善输出的时延特性,使得其最高工作速率能达到622Mb/s;而在接收电路方面,该设计解决了传统LVDS接收电路在共模信号输入范围大时性能不能满足要求的问题。另外,此接收电路还支持失效保护功能。该收发一体芯片已采用华润上华科技有限公司（CSMC)0.5µm CMOS工艺流片。测试结果表明,发送电路的最高工作速率超过622Mb/s,5V电源电压下静态工作电流仅为6mA。接收电路在宽的共模输入电压范围（0.1～2.4V）及低达100mV的差模输入信号条件下均能稳定工作。在400 Mb/s的最高工作频率下,静态工作电流仅为1.2mA。芯片满足TIA/EIA-644-A标准,可以应用于LVDS收发系统。     

Design of high speed LVDS transceiver ICs

The design of low-power LVDS(low voltage differential signaling) transceiver ICs is presented.The LVDS transmitter integrates a common-mode feedback control on chip,while a specially designed pre-charge circuit is proposed to improve the speed of the circuit,making the highest data rate up to 622 Mb/s.For the LVDS receiver design, the performance degradation issues are solved when handling the large input common mode voltages of the conventional LVDS receivers.In addition,the LVDS receiver also supports ...