旋磁基片DC-10GHz微波功率电阻器设计制作

基于旋磁基片设计并通过光刻工艺制作DC-10 GHz微波电阻器。通过HFSS仿真设计制作DC-10 GHz电阻器,采用磁控反应溅射制作TaN薄膜,电压驻波比VSWR均小于1.25。旋磁基片微波电阻器相对于应用广泛的氧化铝基片微波电阻器,可直接集成于同样以旋磁为基片的结环行器中,从而能制作出更加小型化的微波隔离器,有效减小器件体积,符合现代通信产品小型化、集成化的发展要求。     

微波集成隔离器的仿真与设计

通过在旋磁基片上集成结环行器和TaN功率薄膜负载,设计出了小型化的微波隔离器.利用电磁场仿真软件HFSS对设计进行建模、分析和改进,得到在8～9 GHz内,隔离度大于20 dB,插入损耗小于0.5dB,电压驻波比小于1.25的集成化隔离器.设计所得的微波隔离器达到了应用的指标,且符合微波通信器件小型化和集成化的发展要求.     

Cu掺杂对TaN薄膜的电性能影响研究

采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备Cu掺杂的TaN薄膜。通过调节氮流量,研究了不同氮流量下Cu掺杂对TaN薄膜电性能的影响。由XRD结果可见,TaN薄膜中掺杂Cu可在2θ=54°出现Cu3N相,在2θ=57°出现CuN6相。氮流量的增加造成的结果:Cu掺杂的TaN薄膜厚度逐渐减小,薄膜的方阻和电阻温度系数(TCR)绝对值均增加。与无Cu掺杂的TaN薄膜的方阻和TCR作了比较,发现TaN薄膜掺杂Cu可有效改善薄膜的方阻和TCR。