GaAs光电阴极激活时Cs的吸附效率研究

从NEA GaAs光电阴极的激活光电流曲线发现,当系统真空度不很高时,在首次Cs激活阶段,表面掺杂浓度较低的阴极材料,其光电流产生需要的时间也较长.同时,随着系统真空度的提高,这种时间上的差异又变得不再明显.该现象表明,Cs原子在阴极表面的吸附效率同表面层掺杂浓度以及系统真空度之间有直接的联系.为定量分析这种关系,本文根据实验数据建立了Cs在阴极表面吸附效率的数学模型,利用该模型仿真的结果同实验现象非常符合.该研究对进一步开展变掺杂阴极结构设计和制备工艺研究具有重要的价值和意义. 关键词： GaAs光电阴极 吸附效率 真空度 表面掺杂浓度     

三维图形技术在潜标姿态回放系统中的应用

论述了三维可视化场景建立过程中如何应用GLScene实现上浮下潜浮标模型的建立、调入和姿态回放过程。建立了上浮下潜浮标的模型,显示了上浮下潜浮标的运动轨迹和在各阶段的运动姿态,最后给出了上浮下潜浮标运动过程中的场景效果图。     

计费账务系统集中建设技术方案研究

计费账务系统的集中和融合是互联网时代计费系统建设的重要方向。在分析省集中计费账务系统建设现状的基础上,指出系统的发展趋势和面临的挑战。针对这些难点,结合目前该领域已经取得的成果,提出一种可行的技术方案,并对其中的要点进行了阐述。     

不同变掺杂结构GaAs光电阴极的光谱特性分析

为定量研究变掺杂结构对阴极量子效率的作用效果,设计生长了两种不同掺杂方式的反射式梯度掺杂GaAs光电阴极,激活后测量了两者的光谱响应曲线。将光谱响应曲线转换为对应的量子效率曲线,对不同入射光波段的量子效率进行了拟合分析,得到了体现变掺杂结构贡献程度的变掺杂系数K值。研究发现,同一阴极材料对不同波段的入射光,其掺杂结构产生的作用效果各不相同。同时,不同掺杂结构光电阴极对于相同波段范围内的入射光,其作用效果也不相同。产生这些差别的根本原因,是由于不同掺杂结构下,材料中内建电场的位置和强度不同而造成的。该研究为评判不同掺杂方式下光电阴极的结构性能提供了有效的分析手段,对研究阴极变掺杂结构的优化设计具有非常重要的应用价值。     

极区夏季中层顶区域尘埃粒子参数的研究

采用轨道受限运动方法研究了极区夏季中层顶区域的尘埃粒子电荷数与尘埃粒子半径。利用尘埃等离子体充电理论,建立了尘埃粒子充电方程模型,得到尘埃粒子充电时尘埃电荷数和半径的比值。然后结合ECT02实验数据,分析了发生极区中层夏季回波现象时极区中层顶区域尘埃粒子电荷数和半径的比值,并得到尘埃粒子的半径以及尘埃粒子所带电荷量。结果表明,极区中层顶区域的尘埃粒子平均所带电荷不到一个,它的半径约为20nm。     

电信行业分布式镜像仓库的研究

针对电信行业成千上万的容器化计算节点,实现高并发环境下海量镜像的上传与下载.基于KeepaIived形成对外统一入口,采用LVS进行负载均衡,使用Mariadb同步镜像仓库前端数据,结合GIusterfs作为镜像仓库后端的共享存储,实现镜像数据的持久化.通过以上技术实现一个支持高并发、可扩展、无任何单点故障的企业级分布式镜像仓库,提高批量镜像的上传与下载速率.     

一种支撑融合业务信控的计费框架研究

融合业务需求已成为运营商重组后的迫切业务支撑需求,融合业务信控也是困扰运营商多年的技术难题。在深入研究现有计费框架存在的问题后,提出了一种基于IPBF的融合计费框架,并给出了一种统一的融合计费解决方案。以该系统架构及系统流程框架为基础的基于刀片机硬件平台下的分布式计费系统已经通过了为期1年的POC测试,初步验证了系统效果。     

单片机系统中的抗干扰技术

针对单片机应用系统中普遍存在的干扰现象,结合应用实践,对干扰的来源和解决的方法进行了归纳和总结.     

Influence of varied doping structure on photoemissive property of photocathode

The built-in electric fields within a varied doping GaAs photocathode may promote the transport of electrons from the bulk to the surface,thus the quantum efficiency of the cathode can be enhanced remarkably. But this enhancement,which might be due to the increase in either the number or the energy of electrons reaching the surface,is not clear at present. In this paper,the energy distributions of electrons in a varied doping photocathode and uniform doping photocathode before and after escaping from the cathode surface are analysed,and the number of electrons escaping from the surface in different cases is calculated for the two kinds of photocathodes. The results indicate that the varied doping structure can not only increase the number of electrons reaching the surface but also cause an offset of the electron energy distribution to high energy. That is the root reason for the enhancement of the quantum efficiency of a varied doping GaAs photocathode.