一种脉冲编码CMOS神经元电路的设计与实现

从生物神经元的电化学特性出发,基于积分发放(I&F)电路理论模型,提出了一种新型的结构紧凑的脉冲编码CMOS神经元电路,模仿神经元细胞体输出连续脉冲串.该模型的优点在于大大简化了模型结构,其运行结果很好地拟合了神经元的生理特性,且在工艺参数不可调节的情况下,可通过输入信号灵活控制电路结构,改变输入耦合权重,从而实现对输...     

无线传感网络在三峡库区滑坡监测中的应用

将无线传感网络(WSN)结合Internet的网络构建方案,利用MSP430F149和CC2430设计传感器节点,结合GPRS网络,实现对数据的采集和无线传输,并通过控制中心建立起完整的监测系统以实现对库区滑坡参数远程无线监测。系统具有低功耗、低成本、高可靠性等特点,是一种比较理想的实时在线远程监测系统,为滑坡监测提出了一种新的思路。     

一种基于散射体模型的NLOS误差抑制方法

在无线定位中,非视距（NLOS）传播成为高精度定位的主要障碍,它严重约束了无线移动台的定位精度。提出了一种新颖的减小非视距误差的方法。该基于到达时间（TOA）分布的定位算法是以多径散射为测量模型的。通过匹配由散射体模型产生的若干多径信号的TOA测量值的统计方法,可以获得视距（LOS）条件下基站与移动台之间的TOA估计值。由此,获得的LOS的TOA估计值可以用于任何传统的TOA定位算法。在NLOS环境中,该算法表明TOAA统的定位精度得到显著的提高。     

基于中继择优选择的协同ARQ吞吐量分析

本文分为两个部分:基于中继择优选择,分析选择多个中继情况下系统的中断概率;考虑系统延时,仅仅对双中继协同系统、单中继协同ARQ系统和双中继协同ARQ系统的吞吐量进行比较。理论分析和仿真结果说明,协同系统最优中继选择个数越多,系统中断概率就越小;选择单个中继和两个中继的协同ARQ系统的吞吐量,无论高信噪比还是低信噪比情况下,都明显优于非ARQ协同系统。     

Drive current of accumulation-mode p-channel SOI-based wrap-gated Fin-FETs

Comparisons are performed to study the drive current of accumulation-mode(AM) p-channel wrap-gated Fin-FETs.The drive current of the AM p-channel FET is 15%-26%larger than that of the inversion-mode (IM) p-channel FET with the same wrap-gated fin channel,because of the body current component in the AM FET, which becomes less dominative as the gate overdrive becomes larger.The drive currents of the AM p-channel wrap-gated Fin-FETs are 50%larger than those of the AM p-channel planar FETs,which arises from effective conducting surface broadening and volume accumulation in the AM wrap-gated Fin-FETs.The effective conducting surface broadening is due to wrap-gate-induced multi-surface conduction,while the volume accumulation,namely the majority carrier concentration anywhere in the fin cross section exceeding the fin doping density,is due to the coupling of electric fields from different parts of the wrap gate.Moreover,for AM p-channel wrap-gated Fin-FETs, the current in channel along <110> is larger than that in channel along <100>,which arises from the surface mobility difference due to different transport directions and surface orientations.That is more obvious as the gate overdrive becomes larger,when the surface current component plays a more dominative role in the total current.     

正负压可调的多路输出直流稳压电源设计

<正> 本设计将串联型稳压电路、集成三端稳压器、自恢复熔断器、过载保护与控制电路应用于直流稳压电源系统,使该电源不仅具有连续可调的正压输出和负压输出,而且稳定性和可靠性高、体积小。给出了系统设计方案、电路图及元器件选型,并对核心电路的工作原理进行了分析。     

一个二维钴配位聚合物的合成、结构及光催化性质

以N,N'-二(3-吡啶基)-吡啶-3,5-二甲酰胺(bppdca)和2-巯乙酸基烟酸(L)为混合配体,利用水热合成方法获得了一个二维的Co(Ⅱ)配位聚合物:{[Co(bppdca)(L)]·3H₂O}_n,并通过元素分析、IR和单晶X射线衍射等技术手段确定了其结构。该配合物分子式为C₂₅H₂₄N₆O₉SCo,单斜晶系,P2₁/c空间群,a=1.07419(9) nm,b=0.86166(6) nm,c=2.9853(2) nm,β=96.772(1)°,Z=4,V=2.743 9(4) nm³,M_r=643.49,D_c=1.558 g/cm³,F(000)=1324,μ=0.766 mm^-1,S=1.051,R=0.0406,wR=0.1160。 晶体结构分析表明,配合物中的CoⅡ与来自2个bppdca配体的2个N原子、1个L阴离子的单齿羧基O原子和S原子以及来自另一个L阴离子的一个羧基中的2个O原子配位形成八面体配位构型。 相邻的Co^Ⅱ通过L阴离子连接成一维螺旋链[Co(L)]_n,相邻的左、右螺旋链通过成对的bppdca配体拓展成二维配位网络。 最终,相互平行的二维网络通过氢键作用拓展成三维超分子框架。 另外,还研究了该化合物的热稳定性、电化学性质、荧光性质以及选择性光催化性质。CCDC: 1010786     

积累模式p沟道SOI基围栅Fin-FET驱动电流的研究

通过比较,研究了积累模式p沟道围栅Fin-FET的驱动电流。积累模式p沟道围栅Fin-FET的驱动电流比具有同样结构的反型模式p沟道Fin-FET的驱动电流大15% ~ 26%,这是因为前者存在体输运,但随着栅极偏压的增大体输运电流的比重逐渐减小。积累模式p沟道围栅Fin-FET的驱动电流比积累模式p沟道平面FET的驱动电流大50%,这起因于前者有效输运表面的展宽和体积累。其中有效输运表面展宽源于围栅结构感应的多表面输运,而体积累（即Fin截面中任何位置的多子浓度超过了掺杂浓度）源于围栅结构不同方向上电场的耦合。另外,对于积累模式p沟道围栅Fin-FET,由于不同输运方向和输运表面迁移率的差别,沟道沿<110>方向比沿<100>方向有较大的驱动电流,这在较大的栅极偏压使表面输运电流在总电流中占主导时变得更为明显。     

Si纳米线场效应晶体管研究进展

从Si纳米线场效应晶体管(SiNWFET)的结构原理、Si纳米线的制作工艺以及器件电学性能的改善措施三个方面介绍了SiNWFET的研究进展。通过分析SiNWFET的漏极电压对沟道电势的影响,表明SiNWFET自身的细沟道和围栅结构对于改善亚阈值特性和抑制短沟道效应起着关键作用。针对Si纳米线的制备,介绍了光刻、刻蚀与热氧化等自上而下的方法和气-液-固生长这种自下而上的方法。分析了SiNWFET的电学性能,探讨了为改善电学性能而进行的器件结构和工艺的改进,包括选择沟道取向,采用多条纳米线、应变纳米线或新材料作为沟道以及减小源-漏接触电阻等措施。最后对SiNWFET所面临的挑战和前景作了展望。     

增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展

随着高压开关和高速射频电路的发展,增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点。增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流,可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用。近年来,国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压的研究主要集中以下两个方面:在材料生长方面,通过生长薄势垒、降低Al组分、生长无极化电荷的AlGaN/GaN异质材料、生长InGaN或p-GaN盖帽层,来控制二维电子气浓度;在器件工艺方面,采用高功函数金属、MIS结构、刻蚀凹栅、F基等离子体处理,来控制表面电势,影响二维电子气浓度。从影响器件阈值电压的相关因素出发,探讨了实现和优化增强型GaN基HEMT的各种工艺方法和发展方向。