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在高精度计算方法G3和G3B3的基础上,比较了密度泛函理论(DFT)十几种方法对N—O键解离焓(BDE)相对于实验值的计算精度,发现用B3P86方法计算15种化合物N—O键的BDE,均方根误差最小,仅为6.36kJ·mol-1,计算值与实验值的线性相关系数为0.991.在此基础上,用该方法分别计算了非芳香化合物及芳香化合物的N—O键BDE.通过自然键轨道分析,发现部分N—O键的BDE与N—O键的键长、原子电荷密度及键级之间存在定量关系.此外,在B3P86方法的基础上预测了几种典型的杂环芳香化合物N—O键BDE值. 相似文献
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医药厂房空调设计过程中主要考虑的是厂房洁净度和卫生要求,对厂房空调能耗问题没有引起足够的重视,导致很多厂房空调能耗偏高,运行费用增加.针对以上空调设计中能耗偏高的问题进行了分析,结合医药厂房用热热源种类多、冷负荷大、新、排风量大的特点,提出了合理设计冷热源、利用新风供冷、排风热回收降低运行能耗的几点意见.根据具体问题,... 相似文献
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SpaceFibre光总线广泛应用于航天领域。SpaceFibre光网络即插即用(SpFi-PnP)技术便于星载设备的在轨管理,能实现星载网络的可测可控。在大型星载总线网络中,采用宽度遍历算法发现网络设备,通过设计SpaceFibre光网络的网络管理器,实现了总线网络的即插即用。实验证明,网络管理器能稳定发现设备信息并监控路由器网络中节点设备的实时状态,通过OPNET仿真建模分析基于SpaceFibre总线协议的光网络端到端延时来评估在网络中使用宽度遍历算法的网络性能,并在源模块节点采用整包和分包两种机制发送数据流。结果表明分包机制效果更佳,探究得到分包组数为10时网络延时性能最优。 相似文献
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Fabrication and characterization of vertical GaN Schottky barrier diodes with boron-implanted termination 下载免费PDF全文
The vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diode with boron-implanted termination was fabricated and characterized.Compared with the Schottky barrier diode(SBD)without boron-implanted termination,this SBD effectively improved the breakdown voltage from 189 V to 585 V and significantly reduced the reverse leakage current by 10^5 times.In addition,a high Ion/Ioff ratio of ~10^8 was achieved by the boron-implanted technology.We used Technology Computer Aided Design(TCAD)to analyze reasons for the improved performance of the SBD with boron-implanted termination.The improved performance of diodes may be attributed to that B+could confine free carriers to suppress electron field crowding at the edge of the diode,which could improve the breakdown voltage and suppress the reverse leakage current. 相似文献
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医药厂房的设计逐渐从以前的满足洁净与环保的要求,开始转变到节能的需求上来。在夏季干热地区,蒸发冷却作为一种新型的节能空调技术开始越来越多的应用到各种医药厂房中。以直接蒸发冷却,间接-直接蒸发冷却为例阐述了蒸发冷却空调系统的设计过程,提出了蒸发冷却空调系统在药厂中的适用场合以及改进蒸发冷却系统的一点建议。 相似文献
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OLED显示技术随着市场化的进程,已经逐渐进入了电视市场,现在液晶电视占领了整个电视市场。OLED的显示技术测试工作也在不断进行中,未来OLED面板将成为电视行业发展的主力,成为电视行业的新型装置。 相似文献
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