带有高精度片上电流感应器的自适应开关频率降压型DC-DC变换器

本文提出了一种基于电流模式的PWM降压型DC-DC变换器。在高精度片上电流感应器的作用下,当负载不同时自动选择开关频率,提高了系统效率,并获得良好的瞬态响应。电流感应器采用简单的开关技术省去了复杂的运算放大器,但获得了高精度,减少了功率损耗,节省了芯片面积。此外,为了避免启动时的浪涌电流,设计了一种新型的软启动电路。芯片采用了0.5μm标准CMOS工艺,面积3.38mm2,电流感应器的精度可以达到99.5%@200mA,在5-18V的宽输入电压范围内可以输出2A的负载电流。     

Fe掺杂α-Bi2O3光电性质的第一性原理研究

采用第一性原理杂化泛函HSE06方法对Fe掺杂α-Bi2 O3的电子结构和光学性质进行了计算研究.结果表明,Fe掺杂α-Bi2 O3体系有较小的结构变形,本征α-Bi2 O3的禁带宽度为2.69 eV,Fe掺杂使α-Bi2 O3的禁带宽度减小(约为2.34 eV).对其光学性质研究得出Fe掺杂扩展了α-Bi2 O3对可...     

La掺杂氧空位的α-Bi2O3电子结构和光学性质的第一性原理研究

基于第一性原理的方法研究了本征α-Bi₂O₃、La掺杂、氧空位掺杂和共掺杂体系的电子结构与光学性质,以期获得性能比较优异的α-Bi₂O₃光催化材料。研究结果表明：掺杂后,体系结构变形较小,其中氧空位(V_O)掺杂和La-V_O共掺杂体系的禁带宽度价带和导带同时下移且在禁带中引入杂质能级,说明掺杂可以减小电子从价带激发到导带所需能量,有利于电子的跃迁。特别是相对于氧空位单掺杂,La-V_O共掺杂使杂质能级向导带底靠近,这个倾向可能使该复合缺陷成为光生电子捕获中心的概率大于成为光生电子-空穴对复合中心的概率;同时,La-V_O共掺杂导致导带底附近的能带弯曲的曲率增大即色散关系增强,从而降低了电子的有效质量,加速电子的运动,因此,La-V_O共掺杂能大幅改善光生电子-空穴对的有效分离。另一方面La-V_O共掺杂在显著扩展可见光吸收范围的同时,还极大地增强了可见光吸收强度。因此,La-V<...     

一种用于低功耗GNSS接收机的新型正交LMV电路

设计了一种用作GNSS接收机射频前端的正交LMV模块。通过层叠复用低噪声放大器、混频器和压控振荡器,实现了电流复用,使不同的模块共用同一偏置电流,在满足GNSS接收机性能指标的前提下,大大降低了电路功耗。采用改进的双平衡VCO负载结构,避免了本振泄漏问题,提高了电路的稳定性。基于主流0.18 μm CMOS工艺,采用Cadence Spectre软件对电路进行仿真验证。仿真结果表明,在1.3 V电源电压、输入信号为GPS L1频点的1.575 GHz射频信号下,4 MHz中频频率处测得的噪声系数为3.0 dB,转换增益为34 dB,输入3阶交调点为－20 dBm,在1 MHz处的相位噪声为－110 dBc/Hz,且功率仅为2.2 mW。     

CdSe纳米晶薄膜的光敏特性研究

硒化镉(CdSe)是一种光电性能优异的II-VI族化合物半导体.采用真空热蒸发技术在Si(100)衬底上制备出高质量的CdSe纳米晶薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪、膜厚测试仪、扫描电镜(SEM)和数字源表对其结晶性能、晶体结构、表面形貌及光敏特性进行了表征.结果显示,CdSe纳米晶薄膜呈六方纤锌矿结构,纯度较高,结晶性能较好,沿c轴择优生长的优势明显;同时,薄膜具有典型的光敏电阻特性,且电阻值受光照强度、退火温度影响明显.