Optical properties of ZnO thin films on SiO_2 substrates deposited by radio frequency magnetron sputtering

The optical properties of both the annealed and as-deposited ZnO thin films by radio frequency (RF) magnetron sputtering on SiO2 substrates were studied. In the annealed films, two pronounced well defined exciton absorption peaks for the A and B excitons were obtained in the absorption spectra, a strong free exciton emission without deep-level emissions was observed in the photoluminescence (PL) spectra at room temperature. It was found that annealing the films in oxygen dramatically improved the optical properties and the quality of the films.     

农户信用评估系统的设计与运用研究

农户信用评估的研究对推动农村消费信用的发展，促进农村经济良好运行十分重要。本在构造农户信用评估的指标体系的基础上，提出了农户信用评估神经网络模型的算法，利用实际搜集到的农户资料进一步建立了农户信用评估模型，继而构造了农户信用评估系统，并举例说明了该系统的实际运用，以期能为农村经济发展中的农户信用评价及相关研究提供一丝基础性启发。     

横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型

分别考虑气相扩散和掩膜表面扩散过程，建立了金属有机化学气相沉积条件下横向外延过生长的速率模型. 在砷化镓衬底上外延磷化铟条件下，模拟得到了生长速率随掩膜/窗口宽度(m/w)变化的关系. 通过讨论掩膜/窗口宽度的影响，说明了掩膜宽度、窗口宽度以及有效掩膜宽度是决定生长速率的关键因素. 以上结论与实验结果一致. 关键词： 横向外延 生长模型 扩散 生长速率     

磁控溅射制备ZnO薄膜的受激发射特性的研究

用射频磁控反应溅射法在二氧化硅衬底上制备ZnO薄膜。得到了在不同温度下ZnO薄膜的吸收与光致发光。观测到了纵光学波 (LO)声子吸收峰与自由激子吸收峰 ;室温 (30 0K)下 ,PL谱中仅有自由激子发光峰。这些结果证实了ZnO薄膜具有较高的质量。探讨了变温ZnO薄膜的发光特性。研究了ZnO薄膜的受激发射特性。     

含B闪锌矿三元系半导体BxIn1-xP和BxGa1-xP带隙理论预测

利用第一性原理计算方法,用广义梯度近似 (GGA) 处理电子之间的交换关联能,计算了BxIn1-xP,BxGa1-xP的带隙结构.BxIn1-xP的带隙弯曲参数b _Eg (Γ)=4.32eV,b_Eg(X) =1.8eV,它从直接带隙转变为间接带隙时B的含量为0.47;在小量B的掺入下,可使BxIn1-xP的带隙变小,在x=0.15时带隙达到最小值1.33eV.BxGa1-xP的带隙弯曲参数b_Eg(Γ)=1.37eV,b _Eg(X)=2.46eV,在整个组分内是间接带隙.BxIn1-x-P,BxGa1-xP有较大的带隙弯曲参数,是由于组成它们的二元系之间存在较大的晶格失配.     

有机太阳能电池研究进展

有机太阳能电池与无机太阳能电池相比,还存在许多关键性问题。为了改善有机太阳能电池的性能,各种研究工作正在进行,这些研究主要是为了寻找新的材料,优化器件结构。对电池原理、部分表征方法、效率损失机制、典型器件结构、最近的发展、以及未来的发展趋势作了简要描述。     

具有AIGaAs缓变结构的InGaP／GaAs HBT性能改进分析

对改进型结构具有零导带势垒尖峰的缓变InGaP／AlGaAs／GaAsHBT器件的直流和高频特性进行了理论探讨,并同传统突变结构的InGaP／GaAsHBT的相应性能作了比较。结果表明：在低于30nm的一定范围内的缓变层厚度下,与突变的InGaP／GaAsHBT相比,改进型结构的InGaP／AlGaAs／GaAsHBT具有更低的offset和开启电压、更强的电流驱动能力、更好的伏一安输出特性和高频特性。     

一种新型的稀土Tb配合物的光致和电致发光性能的研究

用一种新型的含酚羟基的Schiff碱三足配体H₃L3稀土Tb配合物作发光层制备了三层结构电致发光器件,器件在正向直流偏压下发出明亮的绿光。器件的电致发光(EL)光谱和Tb配合物薄膜的光致发光(PL)光谱与典型的Tb配合物的发光光谱相同。研究了器件发光及电学特性,讨论了该种新型的稀土Tc配合物的发光机理。     

发射区底切对倒置结构InP/GaAsSb/InP DHBT性能的影响

基于考虑载流子弹道输运等非局域传输瞬态效应的流体动力学模型,数值模拟计算了集电区在上面发射区在下面的倒置InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)器件的直流输出特性和高频性能.计算结果表明:由于集电区台面面积小,集电区在上的倒置InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管有较高的高频性能;对于发射区在下面与基区接触面积大导致较多的基区载流子复合而使器件的增益偏低问题,可以考虑掩埋侧边腐蚀工艺底切发射区的技术来减少发射区和基区的接触面积,从而减少复合改善器件的增益特性.     

苯甲酰水杨酸铽的合成与发光特性研究

合成了一类以苯甲酰水杨酸(Benzoyl Salicylic Acid,BSA)为配体的稀土铽配合物,将导电高分子材料PVK引入到配合物中,制成了结构为ITO／PVK：Tb(BSA)4／LiF／Al的电致发光器件。并对该配合物的吸收特性及电致发光和光致发光性能进行了研究,实验数据表明,在PVK与Tb(BSA)4之间存在着能量传递,在电致发光中,PVK的发光完全被抑制,这与光致发光的表现不同,这是由于两种发光(光致和电致)机理不同造成的。章同时比较了几种不同PVK掺杂浓度对于器件性能的影响。