HPM视角下“基本不等式”的教学北大核心

《普通高中数学课程标准(2017年版)》中指出在数学学科核心素养培养过程中需要注重数学文化的渗透;并要求教师在教学过程中注重引导学生把握数学本质,了解数学的发展历程,厘清知识的源与流,建立新旧知识之间的关联.数学教师要尊重学生的认知规律和数学的学科特性,放慢节奏,增加体验,让数学学习自然发生.     

正偏离Bragg定律的二元化合物靶中离子射程参数研究

研究了正偏离Bragg定律,即计算S_e(E)值高于实测S_e(E)的二元系化合物靶的离子射程特性。文中应用“regular”观点引入了“双原子模型”,在二元化合物靶的射程计算中,不仅考虑相同“原子对”对离子的阻止本领S₁₁(E),S₂₂(E),而且考虑不同“原子对”对离子的阻止本领S₁₂(E),S₂₁(E)。文中还应用Berthelot关系,使S₁₂(E)=S₂₁(E)=(S₁₁(E)·S₂₂(E))^1/2,则二元系靶的阻止本领及总的射程为NS(E)=1/2[(N₁S₁₁(E))^1/2+(N₂S₂₂(E)^1/2)]², R=4/a[x-A₁(arctg(2x+f)/△^1/2-arctg(f/△^1/2))-B₁(ln(x+g)²/g²·e/(x²+fx+e)) -b/2 ln(x²+fx+e/e)。这里X=E^1/2,E为离子注入能量,所有其它常数是与离子和靶的质量、原子序数有关的常数。结合文献[1]提出的R与R_p,R_p与△R_p的关系式,可计算得正偏离系统的投影射程R_p及其偏差量△R_p。并对各关系式的物理意义作了阐明。 关键词：     

锂离子选择性微电极在生物体液中的响应

最近几年已报道了几种锂离子选择性电极.本文作者曾研制了以苯基膦酸二辛酯(DOPP)为溶剂,四苯硼酸盐为活性物质的PVC膜锂离子选择电极.本文在此基础上研制了锂离子选择性微电极,比较了以四苯硼酸钾(KTPB)及四苯硼酸钠(NaTPB)为活性物质的锂微电极的性能.同时考察了微电极在细胞内液、血清及生理盐液中对锂离子的响应特性.     

离子浓度对电纺纤维沉积形态及表面形貌的影响

通过采用传统电纺丝装置(接收板接地或连接负压电源)、逆向电场及非接触式电纺丝装置等4种不同的电纺丝装置,在相同电压、接收距离、纺针直径、温湿度条件下,对20%的聚乙烯醇溶液进行电纺丝实验,观察不同装置中制得的纤维的沉积形态与形貌.还采用ANSYS有限元模拟对电纺丝装置的场强分布进行分析,并引入电化学理论解释了采用不同电纺装置时离子浓度的不同对所得电纺纤维形貌的影响,分析了产生差异的原因.     

提高通信设备内置微机系统稳定性的方法

本文叙述了影响通信设备内置微机系统稳定性的几个问题。着重从地线干扰、串行口堵塞、按链抖动、复位电路设置、加强屏蔽等几个方面进行了阐述，分析了产生问题的原因，并介绍了解决这问题的具体措施。     

电子阻止本领S_e(E)的z振荡及其计算

本文应用Hartree-Fock-Slater势能代替Thomas-Fermi势能,得出电子阻止本领S_e(E)的归一化关系式;同时,结合有效原子序数概念,得出能量对S_e(E)影响的关系式,利用前一关系式,定量计算了S_e(E)随离子和靶原子的原子序数z变化的振荡关系,计算结果与实验值相当符合,利用后一关系式,定量计算了多种离子-靶体系的S_e(E),与文献[1]的关系式比较,本文结果更好地符合实验值,而且有更广的能量适用范围。     

红外遥控全息底片自动处理装置

本文介绍一种新型红外遥控 全息底片自动处理装置，该装置采用红外遥控，光电识别密度，微处理器控制，自动完全全息底暗室处理工艺过程。     

化合物半导体中离子射程参数与化学键中离子特性间关系研究

本文基于分子轨道法线性组合理论,推导出不同原子组成的分子的久期方程,从而得出分子波函数线性组合的特征常数N和λ的定量关系式,以及成键合能量和反键合能量的方程式.并通过这两能量之差,使N,λ系数与晶体对称势V_共价所产生的平均能隙E_h,反对称蛰V_离子所产生的能隙C和其总能隙E_g等相联系起来,导出了λ与分数光谱离子性f_i和C/E_h比值间的关系式.由λ,N可导出f_i与化合物半导体中离子射程参数间的关系式.应用上述一些关系式结合闪锌矿和纤锌矿结构特性,可以很好地解释两种结构的偏离系数γ(即化合物半导体中实际电子阻止本领对Bragg电子阻止本领的偏离系数)间互成倒数和压电系数e_pol的符号相反的原因.因此从C/E_h,γ,e_pol,对fi三曲线转折点完全一致,可以清晰地看出半导体化合物的价键和晶体结构特性决定了它的一系列物理、化学特性. 关键词：     

HIGFET器件的静态特性研究(英文)

In this paper, the 2DEG (or 2DHG) density-electric field expression is introduced based on the analysis in energy-band diagram of HIGFETs and the triangular well approximation. In combinating GSW velocity field equation, the analytic formulas of the static characteristics, such as ID-VD, IDS-VDS, gm.,gD, CG and fT are obtained for n- of p- channel HIGFETs at low field region. In the meantime, using the effective variable channel length model, the analytic formulas of the static characteristicc at high field region are also achieved. According to these formulas, the effect of the device structure parameters (such as channel length, etc.) or device electric parameters( such as drain or source resistance, etc.) on the static characteristics can be easily found. And the optimum simulation of device is able to be carried out, which will effectively promote the development of the device manufacture. The theoretical calculated results are in good agreement with the experimental data published in literatures.     

非对称波导GaAlAs/GaAs快速边发光管的几何结构及性能

本文阐述了条形几何结构对非对称波导GaAlAs/GaAs快速边发光管性能的影响,计算了五层非对称波导边发光管的输出功率和光抽取效率及它们与结构参数之间的关系,还计算了不同条宽的侧向电流分布和光场分布情况.计算与实验结果很好相符.通过合理的选择,在100mA的注入电流下获得了性能良好的发光二极管,其标准尾纤的输出功率≥60μW(最高达 220 μW),3 dB的截止频率fc≥60 MHz(最高 100 MHz).是三次群光通信和其他快速模拟传输系统较为理想的光源器件.