盐酸伊达比星杂质A的合成工艺优化及其高效液相分析

通过对盐酸伊达比星脱羟基杂质A的合成研究，为盐酸伊达比星的质控标准提供参考。以盐酸伊达比星为起始原料，经过4步反应得到脱羟基杂质A。本文提供了盐酸伊达比星杂质A的制备方法以及高效液相色谱分析方法，为杂质含量控制提供了依据。该工艺可以稳定、快速制备高纯度脱羟基杂质A，制备总收率为57.20%，纯度为57.20%，其结构经¹H NMR， ¹³C NMR和MS(ESI)表征。     

大陆向全球华人半导体企业招手

联电将前进大陆参股设立300 mm(12英寸)晶圆厂,台积电也有意投资大陆,在中国政府砸钱拉拢"华流"之时,该怎么去,正考验半导体大老们的智慧。1月21日,远在美国纽约华尔街的交易室里,格外不平静。市场传出,中国神州龙芯准备并     

半导体衬底片的应力损伤及其行为

本文根据实际测量结果,一叙述了半导体衬底制片质量对外延生长的影响。特别是,讨论了在 GaAs、InP 衬底中,产生于切片、研磨和抛光加工过程中的机械损伤的影响。     

CRT显示器稳定性实验研究

用屏幕色度计对一台SONY-G520显示器的显色特性进行了测量,研究了其开机稳定性和短、中、长期内的色差及色度偏差。实验结果表明,开机后,显示器的亮度Y和色度x,y分别可在2h,30min和1h达到相对稳定状态,且在达到相对稳定后,在短、中、长期内的平均色差分别为0.0611,0.1469和1.2536CIELAB色差单位;在中期内,Y,x,y,L,a,b的平均偏差分别为0.0663,0.0008,0.0015,0.0695,0.4740和0.1766。通过对显示器稳定性的测量,为在对比度敏感测量和色貌模型、图像质量、图像感知模型评价等研究领域中用显示器进行实验研究奠定了基础。     

炭气凝胶及其有机气凝胶前驱体的研究进展

介绍了炭气凝胶及其有机气凝胶前驱体的发展概况，着重总结了制备工艺条件(如催化剂及其浓度、反应物总浓度、反应物配比、溶剂、反应温度及时间、超临界干燥工艺条件和炭化工艺条件等)对有机气凝胶及其相应炭气凝胶中孔网络结构的影响，综述了中孔网络结构改性研究的进展．     

浅析计算机的电磁泄露及防护技术

计算机主机和与其共同工作的电子设备如电子显示器、复印打印机等,在工作中一定会产生电磁波辐射,计算机处理信息的相关数据会被包含在这些电磁辐射中,尤其是显示器处理的信息,这些信息是直接呈现在人们眼前因此没有采取加密措施,计算机信息的各种泄露途径中,最容易发生的就是电磁波信息泄露问题,不法分子可以使用专门的设备,将这些辐射拦截下来并采用特殊的方式还原,就能够得到原有的信息,给计算机信息的私密性带来很大的威胁.     

不同生物质热解特性及气体产物释放规律研究

研究了竹屑、棉籽壳和棉秆三种生物质的热解特性及差异。采用热重质谱联用技术,对比并分析了三种生物质原料在热裂解中气体产物(CO、H_2、CH_4、CO)随温度变化的释放规律。结果表明:相比于棉籽壳和竹屑,棉秆的失重率最大约为84%。其次,由热解阶段的产物可知,虽然棉秆在热解时的气体离子流(CH_4和CO_2)释放强度高于棉秆和棉籽壳,但是对于生物质混合气体(H_2和CO)的离子流强度,竹屑的离子流强度高于棉秆和棉籽壳。最后,在热解性能方面,挥发分初始析出的温度和热解特性指数的大小排列结果一致,均为竹屑棉籽壳棉秆,其表观活化能分别48、52和66 kJ/mol,这与热重实验结果一致,在相同条件下竹屑的热解性能最好。     

MBE生长的InSb和InASxSb1—x的载流子浓度剖面分布

在(111)InSb 和(100)GaAs 衬底上,用分子束外延技术生长了 InSb 和 InAs_xSb_(1-x)外延层。用自动电化学 C—V 法测量了外延层的载流子浓度剖面分布。结果表明:(1)外延层呈 P 型;(2)InSb/GaAs 异质外延层的载流子浓度为(1～2)×10~(16)cm~(-3),比相应的同质外延层 InSb/InSb 的(1～2)×10~(17)cm~(-3)小一个数量级;(3)生长层的载流子浓度剖面分布和质量取决于衬底表面的制备。讨论了有关问题。     

基于改进的压缩式随机游走算法对静态电源/地网的模拟

将随机游走法和等效电路压缩相结合,对静态P/G网(Power and Ground Networks)进行分析.针对一个大规模的电路,在经过多层的参数提取和建模后,得到静态P/G网模型.首先根据网络的规律性,运用等效电路压缩法将原始的P/G网进行压缩处理,然后运用随机游走法求解,最后利用计算得到的化简网络电压值,通过相关的插值公式得到原网络的电压值.实验数据表明,改进的压缩式随机游走法可有效简化网络的复杂性,节省计算时间,计算速度提高到普通随机游走法的两个数量级以上.     

光电材料的俄歇电子谱分析

俄歇电子能谱(AES)是测定固体表面元素组分的分析技术。由于AES具有很高的空间分辨率和表面灵敏度,并可以通过离子束溅射刻蚀获得组分深度剖面分布,所以它在各种材料,特别是微电子材料、光电子材料和纳米薄膜材料的分析中应用广泛。文章详细地介绍了PHI595型多探针俄歇电子能谱仪及其在光电子材料分析中的应用。