CO_2激光治疗人为纹身

去除人为纹身，以往多采用手术切除的方法，因需自体植皮并留有疤痕而不尽人意。我们采用CO2激光对6例纹身去除，均取得满意效果，特报道如下：临床资料采用国产HN2－Ⅱ型CO2激光治疗器行纹身去除，6例均为男性，年令18～25岁，前臂2例、上臂外侧2例、背部2例。其中文字图像4例、图案图像2例。去除方法：术前常规消毒患处，用2％普鲁卡因进行局部浸润麻醉，激光头对准患处行扫描式烧灼；然后用盐水棉球擦去炭化组织，观察色素是否去除，如未去除再重复烧灼，术后创面用红霉素软膏涂敷。5天后红肿反应基本消失、乃行补治。补治目的一针对…     

推广x重新标度模型的重标度参数经验公式

给出了推广x重新标度模型的重标度参数经验公式,其中建立了重标度参数与原子核的平均结合能之间的联系,由该公式可以得出A≥12的所有核的重标度参数值,利用这些参数值可以计算有关核过程并做出预言.     

迈克尔逊干涉仪中补偿板与干涉条纹

通过分析缺失补偿板的迈克尔逊干涉仪中的附加光程差,推出干涉条纹满足的方程式,并用计算机模拟了动镜移动过程中变化的干涉条纹,与实验结果相一致.     

自由模的自同态环之间的同构

本文主要结果如下:(1)证明了两个自由模及是半线性同构当且仅当End_F与End_G是严格的环同构(见定义1)。(2)用不同方法证明并推广了1985年Bolla用范畴方法来描述End_F与End_G之间的环同构。(3)1962年Wolfson定理是我们的推论。     

除法快速定位法

珠算除法在实际的经济工作中不可缺少。熟练地掌握珠算除法的快速定位是提高工作效率的重要一环。 本着适用、简明、易学的原则,我向大家介绍一种快速定位法。 快速定位法的歌诀是这样的: 同号差位,除多变号; 异号和位,被为商号; 被大被等,加1信号。 即被除数与除数的代号相同,被除数的位多,商号不变,位相减。如果除数的位多,商     

高能h-A碰撞

本文在QCD修正的Drell-Yan机制和矢量介子中间态贡献下,利用NMC组的1-A深度非弹在0.00352<90MeV²/c²测量的结构函数比值R_A(x,Q²),通过重标度模型解释了WA-78组对(π^－,P)+A→μμ+X过程在2m_μ≤m_μμ≤1.5GeV和0.1≤x_F≤0.6内的测量结果.将它们与在不同的m_1l和x_F区间测量的CIP组结果对比,解释了为什么靶核在前者中显示遮蔽效应面在后者中则显示出反遮蔽效应.指出通过重标度模型和其合理假定后,它们都与R_A(x,Q²)直接相关,从而进一步揭示了1-A深度非弹中核效应与h-A ll产生过程中核效应之间的本质联系.     

理想微裂纹系统中的随机扩展效应

本文讨论了在理想微裂纹系统中,由于微裂纹的随机性扩展,对微裂纹统计演化产生的效应。文中提供了一般的理论框架,给出了便于处理的转移概率的表达式。最后,用数值计算的例子展示了随机模型的统计演化特征,并比较了与确定性扩展模型下统计演化的异同。     

基于神经网络控制的潜用磁罗经自差水下自动校正

为了解决潜用磁罗经不能自动校正自差，且水面校正完全依赖人工操作、校正时间长、校正精度低和易暴露的问题，研制了一种利用神经网络控制技术可实现磁罗经自差自动校正的系统，并提出一种新的剩余自差的测定方法．仿真分析表明该系统降低了校正所需时间，提高了校正精度，避免了潜艇自差校正时的暴露问题。     

Yetter-Drinfel'd范畴中辫化余交换余代数

本文研究与Ｈｏｐｆ代数Ｈ关联之ＹｅｔｅｒＤｒｉｎｆｅｌ’ｄ范畴ＹＨＤ中的辫化余交换余代数Ｃ，证明ＨＹＤ中左Ｃ－余模范畴ＨＹＤ是张量范畴，且ＨＹＤ中辫结构Ψ诱导ＣＨＹＤ中一辫结构当且仅当对ＣＨＤＹ中任意对象Ｎ有ΨＮ，ＣΨＣ，ＮＣΓＮ＝ＣＹＤΓＮ；由此导致新的辫化张量范畴．     

Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells

A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias.