基片温度对氧化钒薄膜结构与电性能的影响

以V2O5粉末为原料采用真空蒸发法结合真空退火还原法在玻璃基片上制备VOx薄膜，调节不同的基片温度获得几组薄膜。运用X-射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)分析发现随着基片温度的不同，薄膜成分、物相以及表面形貌有明显差异。在基片温度为200℃时所得薄膜的电阻温度系数(TCR)达到-0．03／℃，并发现基片温度越高，薄膜在室温附近的电阻率越低，电阻温度系数绝对值也越小。     

Pt薄膜热敏电阻工艺研究

本项研究目的是制作微型高精度铂薄膜热敏电阻器与集成电路配合,用于工业和科研中温度的精确测量。用高纯铂板作靶材,在玻璃基板上采用磁控溅射方法,制备成Pt薄膜热敏电阻,并在两端制作纯金电极。经测试表明,该Pt薄膜热敏电阻具备良好的线性度和灵敏度,电阻温度系数达到(或接近)3 850 ?06℃1。本工艺条件稳定,适合批量生产。