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TCDD的密度泛函理论研究 总被引:3,自引:0,他引:3
用B3LYP/6-311G~(**)方法全优经计算22个四氯二苯并对二(左口右恶)英( 简称TCDD)分子,得到几何构型、总能量、标准熵、标准焓和标准自由能。将2, 3,7,8-TCDD的计算构型与X射线衍射实验测定值进行了比较。计算结果表明,总 能量、标准焓和标准自由能与氯原子量换位置的相关性很高(r > 0.997).1,3,6, 8-TCDD的总能量处自由能最低,即最稳定,以此参照,得到异构体的总能量的相对 稳定性顺序和自由能的相对稳定性顺序。1,3,7,9-TCDD的稳定性次之,1,3,7,8- TCDD居第三,将这二个顺序与焚烧炉产生的TCDD异构体和合成的异构体对的生成面 分比进行了比较,说明焚烧炉中产生的TCDD和合成的TCDD对的分布主要受热力学控 制。 相似文献
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<正> 1.序言编码器作为数字变换器而应用在测长和测角领域中已有十几年的历史。随着测定装置在加工机器中应用地不断扩大,其发展速度和技术上的进步也更加显著。数字控制机床的发展尤其惊人,1979年出厂台数为13514台(比前年 相似文献
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<正> 1、绪言在半导体集成电路中,随着器件的高性能化和尺寸微细化,图形曝光技术已由可见紫外光法发展到电子束和软X射线法,并正趋于实用化。一般集成电路用硅基片晶体生长技术的进步显著,就是φ4″~φ5″大直径也能得到微小缺陷量很小的高质量晶体。为了有效地利 相似文献
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用于高分辨率 PET探测器的LSO闪烁晶体的研究 总被引:6,自引:1,他引:5
LSO晶体具有密度大光输出量强和衰减时间短的特性使其成为在PET探测器领域的应用潜在的闪烁晶体材料.按照辐射成象系统应用的性能要求我们对LSO晶体的闪烁特性进行了评价.为了获取较高的光输出量,研究和验证了许许多多的晶体表面的状况对光输出量的影响.对于单个LSO晶体和R5900-00-C12位敏管相耦合的系统,钠伽马射线源的511keV的能量峰处的能量分辨率为15%,时间分辨率为0.65ns,最后对三个LSO阵列分别成象验证了其空间分辨本领. 相似文献
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本文基于注氢纯铁和铁基二元合金(Fe-3%Cr、Fe-1.4%Ni和Fe-1.4%Mn,质量分数)开展常规透射电镜(200 kV)的原位表征观察,揭示了材料中辐照位错环的形态、尺寸演化行为及退火温度影响,并依据辐照损伤演化理论、退火过程中位错环平均尺寸变化推断得到空位型位错环形成温度的范围.注氢纯铁中空位型位错环的形成温度(Tc)约为500℃;添加Ni可使Tc降低至~450℃,添加Cr可使Tc升高至600℃以上,而Mn的作用与Cr相似,亦可使Tc升高.注氘实验和热脱附谱分析进一步表明,纯铁和铁基二元合金中空位型位错环的形成温度受氢同位素与空位结合、释放过程影响.合金元素Ni对氢同位素与空位的结合、释放有促进作用,故导致Tc降低;而Cr和Mn均对氢同位素与空位的结合、释放产生抑制作用,故导致Tc升高.本文展示的有关合金元素对空位型位错环形成温度影响的研究将有助于更深刻理解铁基合金体系中损伤结构演化和辐照肿胀产生机理. 相似文献
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通过使用基于Geant4的蒙特卡罗模拟代码GATE对全身用全3D正电子发射断层成像仪和含有挡板的2D/3D小动物用正电子发射断层成像仪进行建模,系统地分析了3D采集条件下正电子发射断层成像仪的散射分数、散射分布、多次散射、视野外散射四个主要方面和2D采集条件下挡板对散射分数和散射分布的影响.针对全3D散射校正的难点: 多次散射和视野外散射,设计了附加实验,拟合得到了多次散射光子的百分比随体模横截面积变化的关系和不同环的位置受到视野外散射光子的影响;针对2D散射校正,对挡板引入的散射光子进行分离,单独分析,
关键词:
正电子发射断层成像仪(PET)
蒙特卡罗模拟
散射特性
散射校正 相似文献