带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料。在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料。     

从"耗散结构"及"分片模式"理论到成渝增长极与西部天眼

什么是自组织?也许,-个笑话能回答这个问题. 话说有三个国家的领导人,共同坐一只热汽球.不久,他们发现热汽球充气不足,即将坠毁,必须丢出一个人以减轻载重,使其余的两人得以存活.     

矩阵损失下多维几何分布均值 的线性估计可容许性

本文在矩阵损失函数 (d - λ ) (d - λ )′下讨论多维几何分布均值参数 λ的线性估计在齐次线性 估计类中的可容许性 .     

Manipulation of Particles with Counter-Propagating Evanescent Waves

Two counter-propagating evanescent beams are used to align and manipulate polystyrene particles on a prism surface. Since the radiation pressure transferred laterally from the evanescent wave is negated on both sides, particles can be stably aligned. By projecting a circular and a linear beam spot onto the interface, both multiple and single arrays of particles are achieved. Arrays of particles trapped on the interface can be easily moved adjusting the intensity of incident beams on either side. We also simulate electromagnetic distribution of scattering light that is converted from the evanescent wave using the FDTD method. The results show that scattering light converts from an evanescent wave propagating through a particle array and has a distance longer than that propagating from a normal evanescent wave.     

移动通信的基本技术 三、扩频移动通信

1.前言 1977年,Cooper和Nettleton发表了采用跳频(FH)的扩频(SS)移动通信系统,指出每单位区域内可同时通信的用户数比调频制增加2～5倍。这一成果的发表引起了极大的轰动,1978年度的CCIR(国际无线电咨询委员会)大会采纳了促进扩频研究的要求。而Henry又指出,每单位区域可用的平均信道数反而下降到调频制的一半。从此,对扩频移动通信的研究日益活跃。对扩频的研究虽是最近才引人注目,但其起源却在四     

交换弹簧磁性多层膜的磁矩取向及磁滞回线的解析研究

本文以界面交换耦合常数Jⁱ和软磁相厚度L^s为主要参变量,研究了易轴与膜面平行情况下的Nd₂Fe₁₄B/α-Fe磁性多层膜的磁矩随外场变化的取向及磁滞回线,并得到了成核场的解析公式.分析发现,Jⁱ对磁矩取向、钉扎场和矫顽力机理有着较大的影响.当L^s较小时,钉扎场等于成核场,随着Jⁱ的减小 关键词： 成核场 钉扎场 矫顽力 磁滞回线     

镜花缘 LG 6360单款评测

求新，求变，已经成为时下各手机厂商“求生守则”的第一条，在中国市场打拼多年的LG更是深谙此道。继进军GSM市场的G7030于前不久推出后，LG在自己擅长的CDMA市场上继续跟进，又推出了一款专为年轻时尚女性量身定做的6360。