面向空间应用的片上系统集成技术研究

文章采用一种新颖方法对商用IP进行可靠性提升、完善，同时进行容错结构设计,建立了拥有自主知识产权的专用加固型标准单元库，构建了面向空间应用的SoC设计方法与流程，形成了面向空间电子系统的系统集成设计平台，用该技术实现了面向卫星等空间应用的32位嵌入式RISC处理器SoC芯片，获得了一次投片成功。     

基于CAN总线的舵机控制系统设计

主要介绍了一种基于CAN总线的舵机控制系统。系统以CAN总线作为通信方式，PWM控制信号通过硬件方式产生，具有结构简单、信号稳定和实时性强的特点。     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

3－乙酰基卓酚酮还原新途径的研究

３－乙酰基卓酚酮还原新途径的研究高文涛，张宝田，于会文（锦州师范学院化学系１２１００３）天然产物中存在着许多酮系化合物，目前已分离出８０种以上合有酮骨架的化合物。如桧科松柏类树中的具有抗真菌活性的日柏醇，绿霉代谢产物中的细柄酸以及秋水仙球根的成份秋水...     

乘累加运算器的高性能解决方案

在设计数字信号处理器时我们经常要设计高性能的乘累加运算器，文章详细分析了乘累加运算器的结构，提出了其高性能设计方案并采用标准单元进行了实现，同时提出了DCT运算单元的高性能解决方案。     

Orlicz-Sobolev空间的中点局部一致凸性

本文研究了Orlicz-Sobolev空间的中点局部一致凸性，通过结合Orlicz空间和Sobolev空间的技巧得到分别赋Luxemburg范数和赋Orlicz范数的Orlicz-Sobolev空间具有中点局部一致凸性的充要条件．     

Spin-Polarized Tunnelling Magnetoresistance Effects in La0.833K0.167MnO3／SrTiO3 Polycrystalline Perovskite Manganites

A sample of La0.833K0.167MnO3-SrTiO3 (LKMO/STO) is fabricated by the sol-gel method. The microstructure,magnetic and transportation properties have been studied. X-ray diffraction patterns indicate that the structure of LKMO/STO is a homogeneous solid solution phase. The resistivity of LKMO/STO shows the insulator behaviour, which is different from La0.833K0.167MnO3 (LKMO) whose resistivity shows metal-insulator transition with decreasing temperature. The low-field (moH = 0.02 T) magnetoresistance decreases from 11% to 0.2% with the increasing temperature from 4 K‘to 220K for the LKMO/STO sample. The magnitude of magnetoresistance in a strong field (μoH = 5.5 T) almost increases linearly with decreasing temperature and reaches the maximum of 65% at the low temperature of 4.2K, which is much higher than that oE LKMO (40%). The enhanced low-field magnetoresistance effects are quantitatively explained by the spin-polarized tunnelling at grain boundaries.     

~（60）CO－γ辐照感生Si／SiO_2慢界面态及其对高频C－V测试的影响

研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响．结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３—０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受主型．分析认为慢界面态对应的的微观缺陷很可能是Ｓｉ—Ｏ断键或弱键．慢界面态的产生还引起Ｃ－Ｖ曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关．文中提出了如何通过高频Ｃ－Ｖ测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法．     

双峰双波长吸光光度法测定痕量铝

在pH5.5～6.0的六次甲基四胺缓冲溶液中,铝一络天青S—溴化十六烷基毗啶一Triton X-100体系具有正、负两个吸收峰于630nm和475nm处.据此,建立了痕量铝的双峰双波长吸光光度法.铝在0～5μg/25ml范围遵守比耳定律,摩尔吸光系数达1.2×10~5.测定了铝锅开水中痕量铝,结果满意.     

NaNO3掺杂Y2O3材料的制备及电流变性质

利用NaCO3和Y（NO3）3做主要原料，合成了一系列用稀土氧化物（Y2O3）作为基础材料的新型电流变材料——NaNO3掺杂Y2O3材料。对于这些材料的介电性质、微观结构和电流变性能的研究结果表明，NaNO3的掺杂可以明显地提高Y2O3材料的电流变活性。材料在二甲基硅油中的悬浮液的剪切应力随NaNO3在Y2O3中的掺杂程度有明显变化，当Na／Y（物质的量的比）为0．6时材料的电流变性能最好，