铝电解电容器铝箔腐蚀系数的理论分析与计算

本文介绍了腐蚀铝箔的隧道模型及立方孔模型,以及从隧道模型出发计算腐蚀系数的方法。在引入一个隧道有效半径ρ’的概念后,对于为什么在实际测得的VC_t-V关系曲线中在25V左右出现一个微小的极大可以得到解释。     

阴极铝箔化学腐蚀工艺研究：Ⅱ.关于阴极铝箔容量衰减问题

在３０酒石酸铵溶液中用恒定阳极电流测定阴极箔的计时电压（Ｅ－ｔ）曲线，根据曲线转折电压Ｅ转判断表面氧化膜相对厚度，发现膜厚与电容器有很好对应关系。用ｐＨ＝２磷酸钝化液处理的箔在刚生产出来时表面氧化膜很薄，随时间增厚，容量下降幅度大。改用ｐＨ＝３．４磷酸钝化液，形成的氧化膜较厚，较稳定，容量下降得到改善。对此作了分析探讨。     

阴极铝箔化学腐蚀工艺研究──Ⅱ．关于阴极铝箔容量衰减问题

在３０％酒石酸铵溶液中用恒定阳极电流测定阴极箔的计时电压（Ｅ－ｔ）曲线，根据曲线转折电压Ｅ转判断表面氧化膜相对厚度，发现膜厚与电容量有很好对应关系。用ｐＨ＝２磷酸钝化液处理的箔在刚生产出来时表面氧化膜很薄，随时间增厚，容量下降幅度大。改用ｐＨ＝３．４磷酸钝化液，形成的氧化膜较厚，较稳定，容量下降得到改善。对此作了分析探讨。     

Fe,Si杂质含量对电解电容顺低压阳极铝静电容量的影响

Ｆｅ在高纯铝中的存在状态直接影响铝在盐酸溶液中的腐蚀速度，从而对腐蚀箔的静电容量有极大影响。介绍了近年来日本专利中关于防止Ｆｅ，Ｓｉ析出的轧箔工艺，即高温固溶处理后在数分钟内完成热轧，使Ｆｅ，Ｓｉ来不及析出，这样，９９．９８％Ａｌ就其Ｆｅ，Ｓｉ析出量而言，实际可达到９９．９９％以上铝的水平，更进一步，控制Ｆｅ，Ｓｉ析出分布状态的轧箔工艺，有可能用９９．９３％－９９．９８％铝得到９９．９８％以上纯度     

铝箔在盐酸中的交流电侵蚀研究——Ⅲ.交流电频率的影响

用10-100Hz频率的交流电研究了铝箔在盐酸溶液中的电解侵蚀,以获得高的表面积扩大率K₀值。K₀与频率的关系曲线上存在一相对最佳频率f_m。f_m随温度升高移向较高频率端。20Hz与35℃条件下得到的K₀值最大。频率增高有利于使侵蚀膜增厚,温度升高使膜溶解。用膜重G击破电位E_p与f之间的关系解释了K₀的变化。讨论了铝箔原始表面状态对侵蚀过程的影响。     

铝箔在盐酸中的交流电侵蚀的研究—Ⅰ.50周交流电侵蚀

研究了电解电容器用铝箔在5M HCl中用50周交流电侵蚀时温度、电流密度、铝箔纯度以及H₂SO₄添加剂等因素对表面积扩大率K值的影响。得到高K值的关键是得到高质量的侵蚀膜,SO₄^2-是成膜所必需的。用剥膜称重法得到了不同条件下单位真实表面积上的膜重,结合电位波形图解释了一系列现象。侵蚀过程中出现的表面大量掉落黑粉,箔厚减薄、比容不再随电量而增加的现象与侵蚀孔中pH过高、侵蚀膜(氧化铝)水化程度高、体积大因而堵塞小孔有关。保证有足够的H⁺扩散进入孔中是得到高K值的又一关键。     

铝的结晶复合阳极氧化膜Ⅰ．水合氧化膜存在下的阳极氧化膜的形成

铝箔先与热水反应，再进行阳极氧化，可形成结晶复合阳极氧化膜。介绍这种膜的形成机理以及膜的结构。这种膜适用于制造中、高压铝电解电容器     

中高压铝电解电容器阳极引出片的腐蚀及其模型的探讨

回顾了文献上对阳极引出片腐蚀原因的分析，提出了Ｃｌ－引起的铝的局部小孔腐蚀存在一个诱导期，诱导期长短与多余电解液的量等有关。控制多余电解液的量后，４００Ｖ－１５０μＦ产品已通过９５℃，１０００ｈ耐久性试验，提出了强电场作用下铝的小孔腐蚀模型。     

粉末研磨定性分析法

作者所介紹的方法可以推荐給中学高年級的学生作为学習化学的課外作業。粉末研磨定性分析法所用仪器極簡單:一只調水彩顏色用的磁碟和一根玻璃研棒即可。如果沒有磁碟,可以利用碟子、盤子的粹片或坩鍋盖等等。玻璃研棒也可以用(燒熔过的)圆头玻璃棒来代替。     

提高铝箔比电容的新途径：引入高介电常数金属（陶瓷）氧化的

介绍国外在高扩面倍率η，低介质膜厚度ｄ的铝电解电容器中引入同εｒ值的其他阀金属氧化物和陶瓷，以期进一步提高铝箔比电容的新方法。