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1.
采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAsAlGaAs非对称耦合量子阱单元,通过光致荧光谱测量,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应.荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心. 关键词: 量子阱 离子注入 光致荧光谱 界面混合  相似文献   
2.
在40—700cm-1波数和4.2—300K温度范围内研究了不同组份液相外延n型CaAs1-xPx样品的红外反射谱。对反射谱进行了赝谐振子拟合与K-K关系计算。从而获得了有关描述CaAs1-xPx样品的光学声子模、等离子体激元、LO声子-等离子体激元耦合模的重要物理参量及红外光学常数信息。基于这些计算结果,提出了双导带谷并计及与X能谷相联系的施主能级模型,用它解释等离子体激元频率和实验观察的三支主要的耦合模的温度变化规律。 关键词:  相似文献   
3.
报道了MBE生长的CdTe/Cd1-xMnxTe:In调制掺杂应变层多量子附材料的光荧光光谱,低温下观察到一个由多电子-单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象,对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加,使整个发光锋具有明显的非对称性.分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制,测量了77K下CdTe/Cd1-xMnxTe:In样品的调制光谱,与荧光光谱进行了比较,结果进一步支持了本文的结论.还测量了费密迪奇异随温度的变化,结果表明此现象在Ⅱ—Ⅵ族半导体多量子附材料中比Ⅲ─V族材料强得多.  相似文献   
4.
在液氦温度附近, 运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统, 对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围, 在该温度范围内测量了样品的光热电离光谱, 指出该样品中主要杂质为浅受主硼与铝. 对杂质谱线发生分裂的两种原因, 补偿性杂质导致的快速复合以及随机应力等, 进行了分析讨论.  相似文献   
5.
采用回旋共振光谱方法,同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In0.80Ga0.20As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、 散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应,以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性. 关键词:  相似文献   
6.
7.
本文报道多晶MBa_2Cu_3O_(7-8)(M=Y,Sm,Gd,Eu)高温超导体的远红外反射光谱,其频率和温度范围分别为40--360cm~(-1)和 4.2--300K。对于不同M的样品,反射光谱具有相似的结构。在测量范围内,所有样品都有5个反射峰,最低频率的两个峰均属B_(iv)对称类,分别对应Ba,Cu,O离子团振动以及M,O离子团振动,其余3个峰来自CU—O键的弯曲振动;另外,不同M的样品的反射率曲线都具有三处反转结构,即正常态和超导态的反射率曲线的高低位置发生互换。这些反转结构可能与超导能隙有关。  相似文献   
8.
利用Fourier变换红外光谱(FTIR)方法研究了光系统Ⅱ(PSⅡ)膜颗粒中蛋白二级结构在高温条件下的β聚合效应。具有生物活性和高温蛋白的β聚合样品的红外光谱测量温度均是室温,它们的酰胺Ⅰ吸收带被用来对两种样品的特性进行定量的分析。光谱的分析方法采用了直接Lorentz线型拟合,光谱结果表明光系统Ⅱ二级结构在400℃下发生热变性后,其红外光谱将发生很强的不可逆的变化。但其红外光谱与活性PSⅡ蛋白一样仍可用3个Lorentz线型拟合,显示了FTIR红外光谱方法在研究蛋白热变性方面的优越性。  相似文献   
9.
Si1-xGex合金及其与Si构成的应变层异质结构,量子阱、超晶格是近年来迅速发展起来的一种具有广阔应用前景的半导体微结构材料,本文着重综述了Si1-xGex合金的结构,电学,光学性质及其广阔和应用价值。  相似文献   
10.
采用回旋共振光谱方法,同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In080Ga020As/In053Ga047As/In052Al048AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应,以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性  相似文献   
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