TiSi_2 Polycide LDD MOS工艺研究

本文着重研究了０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＮＭＯＳ器件工艺技术．用ＲＩＥ刻蚀获得了０．６μｍ严格各向异性的精细结构２分析研究表明ＴＥＯＳＳｉＯ２膜厚ｔｆ、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度Ｗ的重要因素，经优化后可控制Ｗ为０．３０～０．３２μｍ；在Ａｌ与Ｓｉ之间引入一层ＴｉＮ／Ｔｉ复合层作为Ａｌ－Ｓｉ间的扩散势垒层，获得了良好的热稳定性．上述工艺技术已成功地应用于０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＥ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，其平均缴延迟为３１０Ｐｓ（０．２９ｍＷ／级），工作电压     

基于FC技术的AlGaN/GaN HEMT

采用FC技术将管芯倒扣至AlN基板散热的AlGaN/GaN HEMTs,并通过热阻模型分析了FC方式的散热机理.从测试结果看,器件的热阻可大幅降到14.9K·mm/W,直流特性明显增加,饱和电流提高33%.表明采用FC技术有效改善了器件散热,而且引入的寄生电感较小,可获得更大输出功率.如果进一步完善频率特性的优化,可以加快FC技术的AlGaN/GaN大功率HEMT器件的实用化进程.     

自对准Ti－SALICIDE LDD MOS工艺研究

本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＮＭＯＳ器件及其Ｅ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，特性良好．     

TiSi_2薄膜的形成特性及TiSi_2/多晶硅复合栅结构的研究

本文用反应生成和合金靶溅射两种方法生成了TiSi_2薄膜,并对其形成特性进行了研究,同时将所形成的TiSi_(?)薄膜应用于MOSFET和MOS电容的制作中.结合电学性反的测量和TEM(横截面)在位观察,研究了TiSi_2/多晶硅复合栅结构的特性,发现当多晶硅厚度小于某一临界值时,经高温炉退火后,SiO_2/Si界面将会产生许多新的界面在,SiO_(?)层中会产生缺陷.对离于注入和热扩散掺杂的两种样品,多晶硅层厚度的这个临界值几乎是相同的.根据我们的实验和分析结果,证实了在TiSi_2薄膜的形成过程中所引入的应力是产生上述现象的基本原因.     

WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性

本文用俄歇能谱、卢瑟福背散射、电流-电压和电容-电压等方法研究了射频磁控反应溅射制备的WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性。结果表明,经800℃快速热退火后,WN_x/n-GaAs势垒具有良好的整流特性和高温稳定性,其势垒高度为0.79ev,理想因子为1.19。在自对准GaAs MESFET工艺中,WN_x是一种好的栅材料。     

基于FC技术的AlGaN/GaN HEMT

采用FC技术将管芯倒扣至AlN基板散热的AlGaN/GaN HEMTs,并通过热阻模型分析了FC方式的散热机理．从测试结果看,器件的热阻可大幅降到14.9K·mm/W,直流特性明显增加,饱和电流提高33％．表明采用FC技术有效改善了器件散热,而且引入的寄生电感较小,可获得更大输出功率．如果进一步完善频率特性的优化,可以加快FC技术的AlGaN/GaN大功率HEMT器件的实用化进程．     

硅射频微带电路S参数模拟研究

对不同电阻率硅片射频微带电路S参数进行了模拟研究。建立了 5层结构的微带电路物理结构模型 ,对两种电阻率硅片上不同尺寸 (2× 10 - 5m到 2 0× 10 - 5m)微带线 1～ 10GHz频率范围内的S1 1 和S2 1 参数进行模拟计算。研究结果表明 :减少低电阻率硅片 (3～ 8Ω·cm)线条宽度对减小信号反射和提高传输有益 ;高电阻率硅片 (130～ 15 0Ω·cm)上细线条尺寸微带电路信号反射和提高传输特性也更好。频率越高 ,高阻硅片微带电路的高频性能更好。     

光发射模块中激光器与光纤的无源耦合

对光电发射模块中激光器与光纤的无源耦合作了研究.利用成熟的100mm硅工艺研制成功了无源耦合用硅基平台,并可以批量生产.在此基础上利用倒装工艺实现了激光器与单模光纤的无源耦合,出纤光功率达到了毫瓦级,且经过37次高低温冲击性能不变.