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采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜.X射线衍射分 析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1 ∶1.01—1∶1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌,结果表明复合薄 膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒,也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测 量了薄膜椭偏角Ψ,Δ与波长λ的关系,采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学 常数、厚度、气孔率、ZnS
关键词:
2复合薄膜')" href="#">ZnSe/SiO2复合薄膜
光学性质
椭偏光度法
荧光光谱 相似文献
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ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱特性 总被引:1,自引:0,他引:1
对采用溶胶凝胶法制备的ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱性质进行了测试分析.UV-Vis透射光谱中观察到光吸收边相对于体相半导体有明显蓝移.稳态发射光谱(PL)中观察到ZnSe纳米晶体的位于蓝区的基本呈高斯分布的弱的最低激子发射峰、强而宽的表面态发光带以及对应杂质能级的三个锐峰发光.时间分辨荧光光谱(TRPL)中观察到发光效率高的最低激子发射峰,并测量其荧光衰减寿命,经尾部拟合为28.5 ps.同时,结合有效质量近似(EMA)模型,估计ZnSe纳米晶体的平均粒径介于2.45~3.60 nm之间,尺寸分布基本呈高斯型. 相似文献
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为改善有机-无机铅卤钙钛矿的空气稳定性,采用高温热注入法合成了两种不同尺寸的全无机钙钛矿CsPbBr3纳米晶。由于晶粒尺寸对纳米晶薄膜电学性能具有决定性的作用,研究了CsPbBr3纳米晶尺寸对薄膜光电导探测器光电响应性能的影响。结果表明:纳米片薄膜的光电流是纳米立方块薄膜的100倍,归结于二维CsPbBr3纳米片薄膜更少的晶界导致了更长的载流子扩散长度。对性能更加优异的纳米片薄膜光电探测器进行了全面的性能评价,低的噪声等效功率和高的归一化探测率表明其具有优异的弱光探测能力。 相似文献
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π共轭聚吡咯衍生物非线性响应时间的测量 总被引:4,自引:2,他引:4
合成一种新型π共轭聚吡咯衍生物———聚吡咯 { 2 ,5 二 [(对硝基 )苯甲烯 ]} (PPNB) ,制备了该高分子的N 甲基 2 吡咯烷酮 (NMP)溶液和聚乙烯醇 (PVA)复合薄膜。用 5 32nm ,8ns脉冲激光作抽运光源 ,氦氖激光 (6 32 8nm ,CW)为探测光源 ,测量了该高分子的非线性光学响应过程 ,测得PPNB/NMP溶液和PPNB/PVA薄膜的激光诱导折射率的建立时间分别为 4μs和 5 μs,恢复时间分别为 30ms和 5ms。引起这种非线性效应的机制可能主要是热光非线性效应。 相似文献
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立方相KNb0.77Al0.23O2.77的水热合成与输运性质研究 总被引:3,自引:0,他引:3
用水热法合成了立方相KNb0.77Al0.23O2.77通过调整初始铌源和反应介质的KOH浓度,还得到了正交相钙钛矿和一新相化合物.立方相产物采用XRD、DSC和XPS进行表征.低于1000℃的热处理不能导致立方KNb0.77Al0.23O2.77发生结构相变.阻抗谱测量结果表明,离子输运机制归属于小极化子.而正交的同组分样品结构不稳定,在高温发生结构相变,导致电导率不连续.水热法得到的立方KNb0.77Al0.23O2.77可望成为新一代电解质材料. 相似文献
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在240℃水热体系中首次合成出系列纳米晶固溶体(CeO2)1-x(BiO1.5)x(x=0.0~0.50).产物采用X射线衍射,扫描电子显微镜和X射线光电子能谱仪进行表征.Bi2O3在CeO2中的固溶限约为50%.所有固溶体结晶属立方萤石结构,粒度范围为10~18nm.当Bi2O3掺杂量小于固溶限时,于800℃烧结不会导致结构转变.而对于(CeO2)0.5(BiO1.5)0.5,于800℃在空气中烧结将导致固溶限降低.Bi2O3含量低于固溶限时,固溶体只具有体电导,而(CeO2)0.6(BiO1.5)0.4的总电导可分为体电导和晶界电导.体电导为氧离子,而晶界为来自电极的银离子. 相似文献
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聚吡咯甲烯溶液的激光诱导衍射效应 总被引:4,自引:1,他引:3
利用合成的一种新型π共轭聚合物———聚吡咯甲烯为非线性介质 ,进行激光感应衍射实验 ,测量材料的非线性折射率。实验发现 ,当 5 2 6nm的基模高斯光束通过该聚合物的N 甲基 2 吡咯烷酮 (NMP)溶液时 ,在远场处产生了多个同心衍射圆环。该现象可以用高斯光束通过介质时产生的空间自相位调制解释。经过理论分析和数值计算 ,发现样品对光束横截面上产生的非线性相移非常近似于高斯分布。通过对非线性相移的高斯曲线拟合及衍射环个数的测量 ,可以估算出聚吡咯甲烯 /NMP溶液的非线性折射率n2 ~ - 1 85× 10 -3 esu。 相似文献
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