碳酸钙与碳化硅对室温硫化硅橡胶的补强作用

在有关硅橡胶补强的研究中,人们已经对ＳｉＯ２ 等补强性填料对硅橡胶的补强作用进行了深入的研究,但对非补强填料对室温硫化硅橡胶的补强作用则相对涉及较少．作者研究了ＣａＣＯ３ 和ＳｉＣ 两类非补强性填料以及填料的粒径与分布对室温硫化硅橡胶拉伸强度、断裂伸长率和耐温性能等的影响,发现合适粒径的非补强性填料对室温硫化硅橡胶有较好的补强效果,且在填料粒径及分布匹配时有最好的补强效果,选用ＳｉＣ时还可以有效提高室温硫化硅橡胶的热稳定性．     

变电站继电保护装置故障相关影响的探讨

电力生产中,继电保护的应用是必不可少的,新技术的不断应用,保护装置的功能越来越强大,特别是计算机应用于保护、监控、通讯等多个领域,但是在运行中经常发生通讯中断、监控死机、保护装置异常等情况,这与设备的运行环境、电源等有着直接的影响。本文通过对相关影响的探讨,希望对保护装置故障排查起到一定的帮助。     

Cu-ZnO/膨润土光催化氧化降解甲基橙废水

以膨润土为载体,采用溶胶-凝胶法制备了Cu-ZnO/膨润土光催化剂,通过XRD对其结构进行了表征,研究了该催化剂光催化降解甲基橙染料废水的性能.结果表明:ZnO插入了膨润土层间并与之成功复合,Cu2+渗入了ZnO晶格,拓宽了其光谱响应范围,提高了催化剂对太阳光和可见光的利用率.该催化剂易于回收,经高温活化后,可重复多次使用.     

盐酸尼卡地平的单扫示波极谱法研究

在０． ｌｍｏｌ／Ｌ ＮａＯＨ溶液中，盐酸尼卡地平在单扫示波极谱上有一灵敏的导数极谐波．峰电位Ｅｐ＝－０．７７ Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）．峰电流ｉｐ与盐酸尼卡地平的浓度在５．×１０－８～４．０×１０－６ｍｏｌ/Ｌ几范围内呈线性关系．并用于盐酸尼卡地平片剂的测定，得到满意的结果。用线性扫描和循环伏安法探讨体系的伏安行为，结果表明，该体系具有吸附性的不可逆过程。     

低功耗微型电源管理IC的基准源设计

针对智能手机功能集成度与功耗的矛盾,提出了一种适用于射频和基带的微型电源管理IC新架构,并基于MOS器件的亚阈值特性,详细地给出其中具有低功耗零温漂的电流基准及电压基准电路的设计。基于TSMC 0.25μm CMOS混合信号工艺,通过Cadence公司的Spectre软件进行仿真验证。结果表明,在-20℃~110℃范围温度内,基准源在工作电压为3.6 V时,可输出50 nA±0.25 nA的基准电流;当电源电压在0.8~4 V变化时,可提供稳定的0.671 V基准电压,其中在0℃~50℃的常温内,具有1.49×10-5/℃的温度系数;在0~100 kHz频率范围内,基准源的PSRR可达到-74 dB。     

高温氧化钛合金激光清洗机理与工艺

钛合金在高温环境中表面会发生严重氧化,影响后续的加工与使用,采用激光清洗技术去除氧化层,通过高速摄像设备分析氧化层的去除机理,研究激光清洗、机械打磨以及酸洗工艺对试样表面宏观形貌、微观形貌、化学成分、平整性以及显微硬度的影响.结果 表明,氧化层的激光去除机理以烧蚀作用为主,通过选择合适的工艺参数清洗后,试样表面氧化物基本除尽,呈现出银白色金属光泽,相比于原始试样,激光清洗试样表面的氧含量大幅降低,平整性优于机械打磨试样与酸洗试样.此外,受到激光清洗过程中热作用的影响,激光清洗试样表面的显微硬度要显著高于机械打磨试样与酸洗试样.     

细胞色素P450 Kemp消除酶的改造及新型催化机制解析（英文）

传统的Kemp消除反应可以通过氢氧化钾和三烷基胺等碱性物质,催化底物苯并异恶唑开环生成产物2-氰基苯酚.三十年来, Kemp消除反应一直被用作模式反应来设计或定向进化新型生物酶催化剂,从而揭示未知的酶催化机制的复杂性,增强对酶催化机制的理解.目前科研人员使用不同的蛋白作为骨架设计能够高效催化Kemp消除反应的人工酶.例如Hilvert及Mayo等基于人工酶HG3.17,设计获得了Kemp消除酶,可以催化5-硝基苯并异恶唑生成产物2-氰基-4-硝基苯酚.通过17轮定向进化获得的最终突变体展现出与天然酶相近的催化活性(k_cat/K_m=230000 L mol^-1 s^-1; k_cat=700 s^-1).该研究不仅表明蛋白质工程可以进化出高效的生物酶,量子力学/分子力学(QM/MM)分析还揭示了突变体催化活性提高的分子机制.与酸碱催化的Kemp消除反应不同,最近Korendovych等报道以肌红蛋白作为骨架基于氧化还原机制的Kemp消除反应,通过开发一种独特的基于...     

纳秒脉冲激光清洗扫描速度对TC4钛合金表面氧化膜清洗质量的影响

采用纳秒脉冲激光器对TC4钛合金表面的氧化膜及油污进行激光清洗，研究了扫描速度对清洗后试样表面形貌、成分、元素含量及价态的影响规律，并分析了扫描速度对表面粗糙度、硬度和耐腐蚀性能的影响。结果表明：当扫描速度为500 mm/s时，激光对基体的损伤大且会发生热氧化，表面形成TiO,O含量较高。随着扫描速度由3000 mm/s增加至10000 mm/s，表面逐渐变得光滑平整，O含量先降低后升高，Ti含量则先升高后降低。当扫描速度为9000 mm/s时，表面Ti含量(质量分数)达到最大值84.24%,O含量(质量分数)降至最小值4.54%，且粗糙度(R_a)最低约为0.907μm，清洗效果最佳。扫描速度的增加使清洗后表面的粗糙度先升高后降低。此外，激光清洗可使TC4钛合金表面的硬度和耐腐蚀性能有所提高。