基于二维层状GaSe纳米片忆阻器阻变特性研究

忆阻器由于其非易失性、低功耗、擦写速度快等优点,在存储器、逻辑器件和计算等领域具有广阔的应用前景.另一方面,二维材料由于二维层状的结构和优异的电学性能被广泛应用于忆阻器.其中,硒化镓是Ⅲ-Ⅵ主族的层状半导体材料,具有高载流子迁移率、非线性光学特性和优异的光响应等特性,为研究新型电子器件提供了可能性.本文通过机械剥离法获...