梯度洗脱测定植物源调节剂中内源激素方法探讨

建立了梯度洗脱高效液相色谱法同时测定内源激素赤霉素(GA3)、吲哚乙酸(3-IAA)、脱落酸(ABA)、细胞分裂素(6-BA)和α-萘乙酸(α-NAA)等5种植物内源激素的方法,采用Hypersil ODS C18柱和紫外检测器,以甲醇、乙腈和0.6%的乙酸为流动相梯度洗脱,分别在各组分的保留时间段设置其最佳检测波长,在12 min内可将上述5种内源激素的各组分分离完全,峰形良好,该方法的回收率可达到90%～96%,线性相关系数(r)大于0.998,检出限在0.02～0.3 μg/g之间.还探讨了各组分的最佳检测条件和梯度洗脱存在的问题及解决方法.     

基于STM32的FSMC接口驱动TFT彩屏设计

TFT-LCD技术是微电子技术和LCD技术巧妙结合的高新技术。随着人们对图像清晰度、刷新率、保真度的要求越来越高,TFT-LCD的应用范围越来越广。介绍了TFT数字彩屏的工作原理,利用STM32处理器的FSMC接口设计出了一种能直接驱动数字液晶屏的方法。设计的硬件电路和软件程序均能对显示控制芯片进行有效的控制。在实际应用中显示清晰流畅,并且CPU有足够的时间来处理用户程序。该方案能成功应用在电脑横机的人机界面显示中,且其硬件电路结构简单、控制方式灵活、对于其他型号的接口芯片也能提供参考。     

退火后无应变Ga_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)/GaAs量子阱的带隙

针对快速热退火引起的N最近邻原子环境的变化,建立了热平衡态下Ga1-xInxNyAs1-y合金中各二元化合键的统计分布模型.并将理论计算得到的N周围平均In原子数r引入到BAC经验模型中,对退火后的Ga1-xInxNyAs1-y体材料带隙进行了计算.最后,利用讨论BAC模型中电子波函数边界条件的方法,计算了无应变Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱的带隙.     

退火后无应变Ga1-xInxNyAs-y/GaAs量子阱的带隙

针对快速热退火引起的N最近邻原子环境的变化,建立了热平衡态下Ga1-xInxNyAs-y合金中各二元化合键的统计分布模型.并将理论计算得到的N周围平均In原子数r引入到BAC经验模型中,对退火后的Ga1-xInxNyAs-y体材料带隙进行了计算.最后,利用讨论BAC模型中电子波函数边界条件的方法,计算了无应变Ga1-xInxNyAs-y/GaAs量子阱的带隙.     

红外智能渐变式LED台灯的研究与设计

针对市场上台灯的非智能和电能浪费等现象,提出并实现了红外智能渐变式LED台灯并对其进行了简要介绍。研究方法是通过热释电人体红外和光敏传感器采集人体辐射的红外线和光线强弱等信息,并通过红外信号处理和光控灯等相关模块做相应的渐变式处理。通过调试最终实现非接触红外智能渐变式LED台灯的控制并实时显示当前时间等相关信息。     

NiosⅡ嵌入式处理器在LCD显示系统设计中的应用

Altera公司的Nios嵌入式软核处理器以其成本低廉,设计灵活等特点,在嵌入式应用领域得到了广泛的应用,同时LCD也越来越多地在各种仪器仪表和测控系统中作为人机界面和显示模块。论述利用SOPC技术实现了一种基于Nios嵌入式软核处理器的液晶显示屏的软、硬件设计方案,并给出了对该液晶屏进行控制的硬件接口电路、软件编写流程以及相应程序。     

退火后无应变Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱的带隙

针对快速热退火引起的N最近邻原子环境的变化,建立了热平衡态下Ga1-xInxNyAs1-y合金中各二元化合键的统计分布模型.并将理论计算得到的N周围平均In原子数r引入到BAC经验模型中,对退火后的Ga1-xInxNyAs1-y体材料带隙进行了计算.最后,利用讨论BAC模型中电子波函数边界条件的方法,计算了无应变Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱的带隙.     

基于分数基音延迟动态搜索的语音隐写算法

论文提出了一种基于分数基音延迟动态搜索的语音隐写算法.该算法可根据隐藏容量（x比特/子帧）的需要将分数基音延迟候选值集合划分为2x个子集,每个子集代表不同的x比特信息.在闭环基音搜索过程中,可为每个子帧选择既能表示待嵌入隐秘信息且内插后的归一化相关系数最大的分数基音延迟候选值,从而有效降低隐写操作对于原始载体的影响.以目前IP语音系统中广泛使用的自适应多速率语音编码为例,对该算法从隐藏容量、不可感知性及抗检测性三方面进行了性能评估并与相关工作进行了对比分析.实验结果表明,本文提出的隐写算法较之现有基于基音延迟的隐写算法可在确保较高隐写容量的同时达到更好隐写安全性（即更好抗检测能力和不可感知性）.     

Ga1-χInχNyAs1-y体系中平均键长的统计模型

提出了Ga1-χInχNyAs1-y材料中组分比为整数且x:y≥4时,直接生长和完全退火后各二元化合键平均键长的统计模型.该模型首先计算特定组分超单胞的键统计分布.然后结合前人实验采用Guass分布拟合各N最近邻原子团簇的存在几率,并总结出平均键长的公式.最后,用基于第一性原理的Material Studio软件中的DMol3模块计算并读取Ga28In4N1As31超单胞在不同N最近邻原子环境下的最优化键长,实现该组分条件下平均键长和应变的计算.结果表明,退火后局域应变和体系总应变均呈减少趋势,这与前人实验结果具有较好的一致性.