优化基于PVP的有机双稳态存储器的电性能

在未来非易失性存储器的应用中,有机双稳态存储器具有良好的发展潜力,但仍缺少对提升存储器性能的简单方法的探究。制备了一系列基于聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)的三明治结构的柔性存储器,发现结构为氧化铟锡(ITO)/聚(3-己基噻吩)(P3HT)(二氯苯(DCB))/PVP/Cu的存储器写入电压最低。使用全溶液方法在柔性基底上制备此结构的存储器,并测试了其电性能。结果表明,写入电压为1.0 V,开关(ON/OFF)比为1×10⁵,保留时间达到2×10⁴ s。同时,通过分析其开关机理解释了结构和材料影响存储器性能的原理,加入修饰层P3HT和将金属电极由Al改为Cu,均可使介电层和电极之间的能级更匹配,从而降低载流子运输需克服的势垒;使用X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见(UV-Vis)光谱仪验证了将P3HT的溶剂氯苯换为二氯苯,可增强P3HT分子的有序形态和结晶度,从而提高电荷传输能力以降低存储器写入电压。这将从设计材料和优化结构方面为提高有机存储器性能提供参考。