SAD0820高速8位A／D转换器的设计与分析

ＳＡＤ０８２０高速８位Ａ／Ｄ转换器是一种具有跟踪／保持功能的８位高速微机兼容Ａ／Ｄ转换器，其转换时间为１．５ｕｓ，功耗为７５ｍＷ，用串并结构来实现Ａ／Ｄ转换器的高速。每４位ＡＤＣ分别由１５个比较器构成；单一电源工作，采用双层多晶硅ｐ阱ＣＭＯＳ工艺制作。     

CM303双二选一模拟开关电路

本文主要介绍CM303双二选一模拟开关电路的基本结构,包括从电路的版图设计、工艺设计原则,以及采用埋层外延技术,本电路以实现消除闭锁现象为目的。给出了制造工艺条件对外延材料的选择关系,最后给出了电路的性能指标。     

MOS结构中半导体掺杂分布的快速确定

对于离子注入MOS结构的研究,要求采用非破坏性的方法来测定硅中注入离子的掺杂分布。迪耳等人采用MOSC_(最大)/C_(最小)方法的热氧化来测量杂质的再分布。因为它基于假设不均匀掺杂浓度的理论。近来格尔得和佐塔等人的研究表明:从MOS电容—电压关系曲线能够计算出掺杂分布随结深变化的关系曲线。之后,结C—V法中使用的同样的方程也适用于MOS结构,只需要稍微校正与表面的距离。利用这个关系,格尔得和尼柯林等人用脉冲MOS电容—电压方法来测量硅中的杂质分布。这里     

一种高压大电流快速CMOS驱动器

阐述了高压大电流快速ＣＭＯＳ驱动器的基本原理及电路设计,版图设计,工艺设计和封装等关键技术,给出了产品研制的结果。     

CMOS单片集成恒带宽放大模块

基于电流模式信号处理技术和电流跟随器、CMOSAB类放大器、反相电流镜等理论模型，并有赖于特别的版图设计与一系列先进的3μm硅栅CMOS单片化集成技术，已经获得了一种具有300kHz～1MHz恒带宽、0～20dB可调增益、5．6mW功耗的新型集成模块，该功能块突破了放大器增益带宽积为常数的传统约束，并可用于系统集成、生物电子学、智能功率集成电路（SPIC）与模拟信息处理诸电子学领域．     

CM7510系列CMOS高压模拟开关电路的研究

本文介绍CM7510系列CMOS高压模拟开关电路的设计,版图设计,工艺及电路性能。从理论和实验中分析了常规工艺中影响击穿电压的几个关键工艺参数。     

低压化学汽相沉积多晶硅工艺

本文介绍我所自制低压化学汽相沉积设备生长多晶硅工艺情况。通过实验摸索及流水线试片表明,LPCVD反应器生长多晶硅具有成本低、产量大、薄膜均匀及洁静度高等优点。此外,不用携带气体,工艺简单。我们采用20％的氦气稀释的硅烷,系统压力在0.5乇到1乇下进行淀积,淀积温度为580℃～680℃之间,硅烷流量在200～225cc/分。生长的多晶硅膜厚度为2000～8000,其淀积速率为30～280/分。根据电子扫描显微镜对晶粒的研究表明,晶粒比常压生长的晶粒要小些;晶粒大小随淀积温度增加而增加;同时方块电阻也随淀积温度增加而下降;随膜厚增加方块电阻减小。     

SDA7533D／A转换器的研制

本文主要讨论了ＳＤＡ７５３３Ｄ／Ａ转换器的工作原理，对其制造工艺进行了详细的研究，最后给出了用优化工艺制造的电路的指标。     

CM509AP-2双四选—模拟开关的工艺设计

本文介绍了CM509AP-2双四选一模拟开关电路的工艺设计及电路性能。电路采用外延衬底材料,两次注入源/漏区,以提高击穿电压。制作出的电路在±15V下工作,±22V下无闭锁效应。     

埋层双阱结构的高速BiCMOS技术

研究了一种适用于高速Bi-CMOS VLSI的隐埋双阱多晶硅发射极结构,已用标准的2μCMOS工艺在同一芯片上制造出一种高截止频率(f_T=4GHz)和小尺寸(500μm~2)的双极晶体管,而没有降低MOSFET的器件特性。由于埋层阱电阻低,所以提高了抗闭锁性能,阱的触发电流比标准的n阱CMOS高0.5～1个数量级。为了评价这种技术的适用性,制造了一种2NAND BiCMOS门的15级环形振荡器。在4MHz工作频率和0.85pF的负载电容下,该门电路的传输延迟时间为0.71ns,功耗为0.25mW。驱动能力为0.24ns/pF,比相等面积的CMOS门大2.5倍。