As+注入硅的紫外-可见椭圆偏振光谱

本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×10¹⁶—3×10¹²cm^-2的As⁺注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As⁺注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε₂-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε₂-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。 关键词：     

单晶硅和无定形硅的光学常数、椭偏光谱和Kramers-Kronig关系的验证

本工作用本实验室试制的TTP-1型椭圆偏振光谱仪,测量了紫外至可见范围(2700～6000(?))内单晶硅和离子注入无定形硅的光学常数——折射率n和消光系数κ。对所测得的n、κ,及复介电常数的实部(?)和虚部(?),进行Kramers-Kronig关系的计算。计算结果表明,不论是单晶硅或是无定形硅,所得数据均相当好地符合Kramers-Kronig关系。对于单晶硅,我们测得的结果与别人用反射法测得的结果及用椭偏法测得的结果基本     

杂质穿透二氧化硅薄层的扩散——浅结低表面浓度扩散的有效方法

结型硅光电器件的短波光谱响应灵敏度不高的原因,除了硅表面对光的短波部分有很大的反射系数(可达百分之七十)外,主要是由于硅对光的短波有相当大的吸收系数(对于3800埃其a～10~(-5)厘米~(-1),以致短波光子所产生的光生载流子几乎都集中在表面很薄的一层半导体中.然而这些光生载流子往往由于表面和扩散层中复合的损失,使达到p-n结空间电荷区而成为寻电的载流子的数目就相当少了.因此,一般硅光电器件的光谱使用范围在5000～10000埃,峰值在9000埃左右.     

；As+注入硅的紫外-可见椭圆偏振光谱

关键词：     

溅射无定形硅的紫外-可见椭圆偏振光谱和光学常数

利用作者试制的紫外-可见椭圆偏振光谱仪研究了溅射无定形硅薄膜的光学性质,获得了不同氢分压制备的无定形硅在紫外至可见光谱范围内的n～λ、k～λ等关系,并对结果进行了讨论.