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超突变结变容二极管的杂质浓度分布及n值 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了国产和进口超突变结变容二极管的杂质浓度分布和n值,提出了提高国产超突变结变容二极管性能的措施. 相似文献
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讨论了国产和进口超突变结构容二极要质浓度分布和n值,提出了提高国产超突变结变容二极管性能的措施。 相似文献
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4500V注入增强门极晶体管(IEGT) 总被引:3,自引:0,他引:3
一、前言 目前特大功率半导体器件有四大类:一是特大功率SCR(晶闸管),2001年初世界水平为7000V/8000A;二是特大功率GTO(可关断晶闸管),2001年初世界商品水平为6000V/3000A;三是特大功率IGBT(绝缘栅极双极晶体管),2001年初世界水平为4500V/1800A;四是IGCT,它是一种特殊结构的GTO(如透明阳极,即阳极少子注 相似文献
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