共面波导有限金属厚度效应的研究

用保角变换法对共面波导金属厚度效应进行了理论分析，编制了相应的计算机程序，给出了数值解，并对此进行了多元曲线拟合，导出了考虑金属厚度后的形状比k、有效介电常数、特征阻抗、损耗的闭定表达式。用此修正表达式求得特征阻抗及损耗的数值解，并与K．C．格普塔的修正值及实验测量值进行了详细比较，结果表明此修正公式与实验值相符较好。     

Cu/SU-8复合结构的高精度机械研磨

由于其独特的厚度优势,SU-8经常在微加工领域被用作模具,通过电镀实现金属的大深宽比结构.但是,由于电镀的特殊性,其获得的金属结构表面往往需要进行研磨整平.对在SU-8大深宽比结构中电镀金属后形成的复合结构的研磨进行研究,设计并制备了 Cu/SU-8复合结构,并进行了一系列表面磨削实验,分析了复合结构的研磨机理和磨轮的...     

不同磁芯材料在微电感中的应用

叙述了坡莫合金,铁氧体和非晶、纳米晶软磁等材料用作微电感磁芯的磁性材料的特性及其对微电感性能的影响,如电感量和Q值.并介绍了螺线管型微电感的制作工艺过程.     

聚酰亚胺在氧基工作气体中的反应离子深度刻蚀研究

主要研究了不同的反应离子刻蚀条件（氧基工作报体、刻蚀功率、工作气压等）下所获得的不同刻蚀效果。当以Ｏ２／ＣＨＦ３作为工作气体时,在一定的工艺条件下实现了高深宽比（深度２３μｍ,深宽比〉７）、侧壁陡直光滑、底面平整光滑的刻蚀效果;同时还观察到随着ＣＨＦ３浓度的增加,侧壁形状经历了外倾、垂直、内倾的变化规律。利用ＣＦ２印化保护模型可很好地解释决这一现象。     

叠层光刻胶牺牲层工艺研究

通过溅射电镀种子层前预烘胶与严格控制烘胶温度变化速率、用KOH稀溶液去胶、再用稀腐蚀体系加以轻度超声干涉去除电镀种子层和使用丙酮与F117进行应力释放等方法改进工艺后,解决了在叠层光刻胶牺牲层工艺中极易出现的烘胶龟裂、光刻胶不容易去除干净、去除电镀种子层时产生絮状物和悬空结构释放时易黏附等问题.运用叠层光刻胶牺牲层改进工艺可以制备出长4 mm,悬空高度20 μm,平面误差不超过3 μm的悬空结构.     

O2反应离子深刻蚀PMMA

高深度比结构是提高微器性能的重要环节之一。利用ＲＩＥ深刻技术和工具有高深宽比结构的图形,方法简单：它不像ＬＩＧＡ技术那样,需昂贵的同步辐射光源和特制的掩模板,对光刻胶的要求也不是特别高,利用这种技术深刻蚀ＰＭＭＡ膜,以Ｎｉ作掩模,采用普通的光刻胶曝光技术和湿法刻蚀的方法将Ｎｉ掩模图形化,然后利用Ｏ２ＲＩＥ技术刻蚀ＰＭＭＡ,可以得到深度达１００μｍ,深度比大于１０的微结构,图形表面平整,侧壁光滑垂直     

MEMS磁芯螺线管微电感的制作工艺研究

采用微机电系统(MEMS)技术制作了磁芯螺线管微电感,该技术包括UV-LIGA、干法刻蚀技术、抛光和电镀技术等。研制的微电感大小为1500μm×900μm×100μm,线圈匝数为41匝,宽度为20μm,线圈之间的间隙为20μm,高深宽比为5∶1。测试结果表明:在1～10MHz频率下,其电感量为0.408～0.326μH,Q值为1.6～4.2。     

LIGA/准LIGA技术微电铸工艺研究进展

微电铸是相对于常规电铸工艺而确立的新概念,它是适用于微小结构成型而建立的批量加工技术,既可以看作是在微细加工模具基础上的传统电铸技术的延伸,也可以认为是掩膜电镀在高深宽比方向发展的结果,微电铸工艺是LIGA/准LIGA技术的核心内容,在MEMS技术领域有广泛应用.介绍了电铸和微电铸的原理和特点,系统分析了微电铸过程的电化学本质,综述了微电铸技术研究的最新进展,给出了一些为大家所共识的微电铸镍基本工艺规范.     

磁性薄膜微电感器件的研究进展

综述了磁性薄膜微电感的研究现状,介绍了四种不同电感器件的结构设计(平面螺旋型,磁芯螺线管,曲折结构及夹心条状结构)及其优缺点和磁芯材料(坡莫合金,铁氧体,非晶,纳米晶软磁)对电感器件的影响。     

LIGA掩模板的制备与同步辐射X射线深度光刻的研究

采用同步辐射进行深度Ｘ射线光刻是ＬＩＧＡ工艺的关键工序,它包括ＬＩＧＡ掩模板的制备、光刻胶的涂制与深度Ｘ射线光刻等多个工艺环节,该技术在深度比要求高的微光、微机械及微机电系统的元件制造领域有独特优势＾［１］,报道采用ＬＩＧＡ工艺制作微齿轮所涉及上述工艺的研究结果。