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金刚石高成核选择比图形化技术 总被引:4,自引:1,他引:3
报道了一种新的金刚石薄膜选择生长图形化技术。首先用直流偏压增强的微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)对图形区域(Si)高密度金刚石成核,接着对掩模区域(SiO2)进行一次化学浅腐蚀,然后正常生长金刚石薄膜,得到表面光滑、侧壁陡直的金刚石精细图形。用该技术制作了金刚石微马达结构,其厚度为2μm,转子直径150μm。图形间隙可控制至1-2μm。 相似文献
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报道了一种新的适用于在绝缘衬底上生长金刚石薄膜的方法,利用在直流电压上叠加交流成分,作为微波等离子体的电场偏置,成功地在SiO2衬底上首次实现了>108cm-2的金刚石成核.实验结果表明,金刚石薄膜的成核密度与偏压中交流信号的频率和幅度以及直流信号的幅度存在密切的关系. 相似文献
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