优化压焊工艺QC小组活动与质量的改进

主要介绍了QC小组采用先进的工序能力控制技术和6б方法,对压焊工艺进行统计、分析及优化,最后使压焊工艺工序能力指数CPL≥1.33,提高了产品的可靠性。     

用于氦原子泵浦的1080nm半导体激光器

ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ 应变量子结构半导体激光器有其特有的波长输出范围,介绍了１ ０８０ ｎｍ ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ 应变量子阱激光器的结构、典型的特性参数及其用途。     

砷化镓大光腔大功率激光器

简要介绍了 GaAs 大光腔、大功率激光器的制作、性能参数,讨论了其制作关键。     

可见光PCW GaAlAs激光器

在众多的激光二极管结构中,我们选择Piano-Convcx Waveguide(PCW)结构进行可见光GaAlAs激光器的研制。采用成熟的液相外延系统(LPE),一步外延完成激光器所有层次的生长。激光器在约10mW范围内呈现较为稳定的基模工作状态,有些器件观察到单纵模。远场侧向发散角～18°。初步的老化试验结果:在550小时(截止本文定稿时),激光器闽值平均上升17%,最小值10%,老化试验条件:室温,充N_2,激光器单面光功率输出额定为5mW。     

电流限制性能好的双沟平面隐埋异质结激光器

本文报导新近研制的1.3μm InGaAsP/InP双沟平面隐埋异质结(DC-PBH)激光器,在室温下测量阈值电流的最小值为15mA,最大输出功率可大于40mW,外部微分量子效率(单面输出)为35％。器件的温度性能好,特征温度T_0为70～80K,最高连续工作温度可达100℃