WS-Ⅰ型微量水份测定仪的研制

测定气体中痕量水份有露点仪、电解水份仪、压电水份仪和氧化铝水份仪等,各有优缺点;就灵敏度、连续性和操作繁简来说,以氧化铝水份仪为佳。1941年Kaller首先发表了氧化铝作介质的电容电阻湿度计。Cutting和Jason为现代氧化铝湿度计奠定了理论和实践方面的基础。美国Pana公司和爱尔兰Shaw公司已生产多种型号的商品仪器。而国内,未见有报导。WS—I型微量水份仪即根据氧化铝电容、电阻原理而设计並研制的仪器。可连续测定氢、氮、氩、空气等洁净气体中的水份,测量范围为-90℃～-20℃露点(相当于0.1～1000ppmv);测量准确度为±3℃露点;测量重复性为±1℃露点。     

Al2O3电容式露点仪湿度的在线测定

本文主要介绍净化气体中露点（微量水分）的检测概况，AL203电容式露点仪在线测量中的主要误差分析及在线测量中经常碰到一些问题的探讨。     

用气相色谱法测定超纯氢中痕量O_2+Ar、N_2、CO、CH_4和CO_2

用气相色谱法测定了超纯氢中痕量杂质O_2+Ar、N_2、CO、CH_4和CO_2。将TCD和FID与预浓缩技术结合,当浓缩样品量为10升时,检测灵敏度分别达到O_2+Ar为0.2ppbV、N_2为0.4ppbV、CO为0.05ppbV、CH_4为0.2ppbV和CO_2为0.3ppbV。提出用浓缩体积差值法和按峰面积法两种方法计算样品中杂质浓度,前一种方法可消除载气中杂质浓度的影响。     

均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI RESURF器件的统一击穿模型

提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型.基于分区求解二维Poisson方程,得到了不同漂移区杂质分布的横向电场和击穿电压的统一解析表达式.借此模型并对阶梯数从0到无穷时器件结构参数对临界电场和击穿电压的影响进行了深入研究.从理论上揭示了在厚膜SOI器件中用阶梯掺杂取代线性漂移区,不但可以保持较高的耐压,而且降低了设计和工艺难度.解析结果、MEDICI仿真结果和实验结果符合良好.     

High-Density Stacked Ru Nanocrystals for Nonvolatile Memory Application

Stacked ruthenium （Ru） nanocrystals （NCs） are formed by rapid thermal annealing for the whole gate stacks and embedded in memory structure, which is compatible with conventional CMOS technology. Ru NCs with high density （3 × 10^12 cm-2）, small size （2 4nm） and good uniformity both in aerial distribution and morphology are formed. Attributed to the higher surface trap density, a memory window of 5.2 V is obtained with stacked Ru NCs in comparison to that of 3.5 V with single-layer samples. The stacked Ru NCs device also exhibits much better retention performance because of Coulomb blockade and vertical uniformity between stacked Ru NCs.     

阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF结构耐压机理研究

研究了阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF(Reduce SURface Field)结构的器件几何形状和物理参数对器件耐压的影响;发现并解释了该结构纵向击穿时,耐压与浓度关系中特有的“多RESURF平台”现象。研究表明,阶梯变掺杂漂移区结构能明显改善表面电场分布,提高耐压,降低导通电阻,增大工艺容差;利用少数分区,能得到接近线性变掺杂的耐压,降低了工艺难度。     

氢化物-原子吸收分光光度法的简便装置

氢化物-原子吸收分光光度法是近年来发展起来的一种新的分析方法。本文提出一个新结构的氢化物系统,包括氢化物发生器和自动加液装置(见图1)。氢化物发生器有一个多支管的磨口连接器。惰性气体、硼氢化钠溶液、去离子水分别由支管进入反应瓶。特点在于硼氢化钠溶液随惰性气体直冲反应瓶。这样既加入迅速,又得到充分搅拌试样溶液,省去了搅拌装置。磨口连接器底端有开细孔夹套,上通去离子水支管。按揿微动开关,即有去离子水冲洗反应瓶。连接器上端装有玻璃浮珠阀门,当反应瓶中压力超过浮珠自身重量时,反应气体便有力地冲入石英管炉。反应瓶底部装有活塞,可以排出废液。自动加液装置的     

VOESA1871计算器用作数字仪表打印机

近几年来,很多仪器仪表都用?或?位的A/D转换器,但大多数不能把所显示的数字打印出来.对于一般的中小型仪器,其本身价格不高,体积不大,若再带上一套价值一千多元的打印机,不但在经济上不合算,而且体积也过于庞大.我们借用带打印机的计算器来作为仪器的打印机,由于这种计算器体积小巧,价格低廉,所以使得整机既经济,又实用.     

面向非挥发存储器应用的叠层Ru纳米晶材料的制备与特性

Two methods are proposed to fabricate stacked ruthenium （Ru） nanocrystals （NCs）： rapid thermal annealing （RTA） for the whole gate stacks, and RTA before each SiO2 layer deposition. The size and aerial density of Ru NCs are 2-4 nm and 3 × 10^12 cm^-2 for the former method, compared to 3-7 nm and 2 ×10^12 cm^-2 for the latter. Because of the higher surface trap density and more uniform electron tunneling path between upper and lower Ru NCs, a 5.2 V memory window and 1 V after a period of 10 years are observed in metal oxide semiconductor （MOS） capacitors fabricated by the former method, which are much better than 4.6 V and no window remaining after one year observed in the latter. The former method is compatible with conventional CMOS technology.     

Nonvolatile Memory Characteristics with Embedded High Density Ruthenium Nanocrystals

Ruthenium （Ru） nanocrystals （NCs） embedded in SiO2 gate stacks are formed by rapid thermal annealing for the whole gate stacks and embedded in the memory structure, which is compatible with conventional CMOS technology. The devices exhibit a substantial and clockwise hysteresis in capacitance-voltage measurement. The Ru NCs exhibit high density （2 × 10^12cm^-2）, small size （2-4 nm） and good uniformity both in spatial distribution and morphology. The charging and long-term retention performances are explained by the Coulomb Blockade phenomena and the asymmetric electron tunnel barrier between the Ru NCs and the Si substrate, respectively.