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无线电
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1
1.
GaN材料生长研究
总被引:1,自引:0,他引:1
章其麟
孙文红
刘燕飞
毕书亮
耿金花
秦国刚
《微纳电子技术》
1997,(5)
用常压MOCVD方法我们在蓝宝石(0001)、Si(111)衬底上,成功地制备出GaN单晶薄膜材料,取得了GaN材料的初步测试结果。纯度GaN为n型,载流子浓度为1017~1018cm-3,迁移率为200~350cm2/V·s,双晶衍射半峰宽为7′,室温PL光谱本征发光波长为370nm,并首次观察到掺ZnGaN呈p型电导。
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