分子束薄膜淀积

引言砷化镓的宽禁带和高电子迁移率原则上适用于高频和高温器件的多样性。这些器件的大多数,诸如注入激光器、电光学相调制器、光阴极和转移电子振荡器都需要多薄层结构。分子束外延(MBE)提供了生长具有可控电学和物理学特性的薄单晶砷化镓的可能性,     

耿二极管的实验及计算机模拟分析

1.引言大容量微波通讯设备的耿二极管振荡器的发展出现很多问题。其中有在腔体稳定振荡器、宽带注入锁定振荡器和其它的耿二极管电路中的滞后现象和不稳定性。为了解决这些问题,必须测定和应用耿二极管的动态电气导纳及其偏压和频率的关系,