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1.
为了提高滤波器的阻带衰减,研究了源与负载感性交叉耦合的小型介质滤波器。首次提出一种新概念:将源和负载看作准谐振器。以贴片电感作为源与负载之间、源与第二个谐振器之间的交叉耦合元件,两个准谐振器和两个介质谐振器可构成级联四节(CQ),一个准谐振器和两个介质谐振器可构成级联三节(CT)。分析了传输零点的位置,详细讨论了这种滤波器结构的设计方法。采用介电常数为80的介质陶瓷组装了3个两级介质滤波器,并进行测试,结果表明传输零点的个数和位置与仿真设计相符合。滤波器的体积小,均为14 mm×6.5 mm×10 mm。  相似文献   
2.
为了提高基站的通信质量,研制了高性能的窄带介质带通滤波器。选择切比雪夫低通原型设计线路,采用6个环形介质谐振器直接耦合实现滤波器,输入输出采用探针耦合。用HFSS软件对滤波器的结构进行了仿真。用εr=38的高Q值介质陶瓷材料制作了环形谐振器,分析了衬垫材料的高度对环形谐振器性能的影响,测试了级间耦合系数。最后制作出中心频率为6GHz的介质带通滤波器,滤波器的带宽窄(0.5%),插入损耗较小,阻带衰减很高,达到了国内先进水平。  相似文献   
3.
这篇文章主要利用常微分技术讨论了一个二阶拟线性椭圆方程Lpu≡div(|Du|^p-2Du)=f(x,u),x∈R^N的整体解的不存在性.我们只考虑2≤p〈N的情況并且在假设f(x,u)关于第二个变量u没有单调性的情况下得到整体解的不存在性结果.  相似文献   
4.
为了抑制杂波,需要在通信系统中安装带阻滤波器.采用切比雪夫低通原型设计带阻滤波器,用介质同轴谐振器加载电容的结构实现串联谐振,用π型LC网络实现1/4波长传输线.采用高品质因数(Q)、高介微波介质材料制作了中心频率为933 MHz、阻带衰减大于40 dB的带阻滤波器,测试结果符合设计要求.滤波器具有体积小,性能稳定等特点.  相似文献   
5.
为了改善ZnTiO3介电陶瓷的性能,研究了Nd2O3和Sm2O3掺杂对ZnTiO3陶瓷结构与介电性能的影响,借助TEM型同轴谐振器测量陶瓷的微波介电性能。研究表明,掺杂Sm2O3形成新相Sm2Ti2O7,少量Sm2O3掺杂能有效抑制ZnTiO3分解;掺杂Nd2O3形成新相Nd2Ti2O7和Nd4Ti9O24;Nd2O3和Sm2O3掺杂均能提高谐振器的无载Q值,且Nd2O3的掺杂效果优于Sm2O3:Nd2O3掺杂能使陶瓷的τf从正值向负值变化,通过调整Nd2O3掺杂量(质量分数5%~10%),可获得τf近零、无载Q值大于260的陶瓷组成,可用于制备分米波段的滤波器。  相似文献   
6.
为了提高通信设备的性能,研制了高阻带的微波滤波器。该滤波器由5个高Q值的同轴介电陶瓷谐振器构成的带通滤波器。谐振器之间通过介电基片上的电容相互耦合。在装入外壳前,调整好每个谐振器的谐振频率和耦合电容,之后就不需要再调整,外壳上也没有可调零件,从而保证滤波器结构稳定,性能可靠。用εr=74的介电陶瓷制作出滤波器的性能为f0=982 MHz,Δf=10.9 MHzI,L=3.8 dB,阻带在f0±30 MHz处大于69 dB,远阻带衰减优于70 dB。  相似文献   
7.
为了提高滤波器的电性能,研究了孔耦合两腔介质同轴滤波器的调试技术.理论上分析了耦合谐振器的频率和有载品质因数(Q)值与输入、输出电容的关系.采用介电常数εr=74的微波介质陶瓷制作了孔耦合两腔介质滤波器,通过观察反射系数(S11)波形讨论了输入、输出电容对滤波器性能的影响.结果表明,反射系数的波形和大小能直接反映出输入、输出电容的大小是否合适.最后制作出中心频率为902 MHz、通带带宽13.2 MHz、阻带衰减(f0士40 MHz)>24.9 dB的带通滤波器.该调试技术对两腔以上介质滤波器的调试具有指导作用.  相似文献   
8.
为了解决变容管电调窄带滤波器的插入损耗大和承受功率小的问题,研究了用压电换能器作电调元件的电调介质滤波器.分析了压电换能器调谐介质谐振器的机理,讨论了耦合系数和外部Q值的控制方法,仿真结果表明耦合系数和外部Q值随调谐频率的变化较小.采用HFSS软件设计和优化了两级电调介质滤波器的结构,并用高Q值的介质谐振器制作了两级电调介质滤波器.根据ANSYS软件的分析结果,提出了提高电调率的有效措施.当控制电压为0~50V时,滤波器的中心频率调谐范围为4.155~4.205GHz,3dB带宽为37~40MHz.  相似文献   
9.
电调滤波器是当前微波滤波器的研究热点,它们取代滤波器组可减小整机体积和降低设计复杂度。本文从电调滤波器的分类着手,分别综述变容管电调滤波器、铁电薄膜电调滤波器、微机电系统(MEMS)电调滤波器和压电换能器电调滤波器的结构和性能,并分析各自的特点。最后,提出电调滤波器的发展趋势。  相似文献   
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