新型压电晶体La3Ga5SiO14的生长及特性

用提拉法成功地生长了La3Ga5SiO14(LGS)单晶,用X-ray粉末衍射证明了其单晶结构,测得沿Y、Z方向的热膨胀系数分别为5×10-6 K-1、3.8×10-6 K-1,在453.15 K时测得晶体的比热为0.90 J/g*K,并在200～ 800 nm之间测其透过谱,测得了其全部压电及弹性常数.     

新型压电晶体La_3Ga_5SiO_(14)的生长及特性

用提拉法成功地生长了La3Ga5SiO14(LGS)单晶,用X-ray粉末衍射证明了其单晶结构,测得沿Y、Z方向的热膨胀系数分别为5×10-6K-1、3.8×10-6K-1,在453.15K时测得晶体的比热为0.90J/g·K,并在200～800nm之间测其透过谱,测得了其全部压电及弹性常数。     

半导体激光倍频晶体硫氰酸汞镉(CMTC)显微结晶的研究

采用显微结晶,系统地观察、研究了半导体激光(LD)倍频材料CMTC晶体在KCl/H2O的溶剂体系中,不同条件下的结晶习性。结果给出：在KCl浓度为3;～10;范围,pH值为3.0～4.3范围时,结晶形态规则,各项生长速度均匀,结晶透明;pH值为2.0～3.0条件下,z轴方向生长速度变快,a轴方向生长速度变慢;杂质严重影响了结晶的质量和外形;溶液稳定性随时间的增长和温度的升高而逐渐变差。本文分析了CMTC单晶生长和定向生长适宜的溶液条件和关键。     

适用于宽温度范围高稳定的Q开关LiNbO3晶体

分析了俄罗斯的Q开关LiNbO3晶体的成分,这种开关用在Nd∶YAG激光测距仪上,能够在温度-50～50℃范围内稳定工作.通过测量紫外吸收边的位置、红外振动光谱、晶格常数和居里温度的方法,测出晶体中的锂铌比([Li]/[Nb])为49.02/50.98.分析认为晶体中的锂铌比是影响LiNbO3晶体Q开关温度稳定性的主要因素.     

A3BGa3Si2O14(A=Ca,Sr;B=Nb,Ta)晶体研究进展

介绍了一类性能优异、结构有序的新型材料--A3BGa3Si2O14(A=Ca,Sr;B=Nb,Ta)单晶,总结了其研究进展,并对该类晶体的生长、结构、热学、光学和压电性能进行了描述.     

被动Q开关材料的研究进展

简述了Q开关材料的发展历程，介绍了调Q技术在激光技术领域中的作用。重点介绍了1.064μm和1.54μm波长被动Q开关材料的发展及近期的研究热点和发展趋势。