B－ISDN中的拥塞控制技术

Ｂ－ＩＳＤＮ是现代电信网的发展方向，拥塞控制技术则是其中的一个重要问题。由于Ｂ－ＩＳＤＮ采用新的信息传递方式──ＡＴＭ，使传统的拥塞控制方法不再适用。本文依据ＩＴＵ－Ｔ有关建议的最新内容对Ｂ－ＩＳＤＮ拥塞控制的基本思想、工作机制以及其中的主要功能作了较为详细的分析讨论，并提出了一些Ｂ－ＩＳＤＮ拥塞控制技术中尚需进一步研究的问题。     

B-ISDN中的拥塞控制与信令规程

拥塞控制与信令规程是B-ISDN中的两大关键技术。本文分别讨论了B-ISDN中的拥塞控制技术与用户信令呼叫控制规程,并分析了B-ISDN用户信令规程对多项拥塞控制功能的支持。     

ITU-T关于B-ISDN信令研究的新进展(下)

ＩＴＵ－Ｔ关于Ｂ－ＩＳＤＮ信令研究的新进展（下）●段强２．Ｂ－ＩＳＤＮ网络信令Ｂ－ＩＳＤＮ中的网络信令是以Ｎｏ．７信令方式为基础的，同时在原有的系统框架下进行了重大改动以适应Ｂ－ＩＳＤＮ对局间信令的要求。（１）对原Ｎｏ．７信令系统结构的修改在引入Ｂ－...     

ATM信元总线交换技术及其应用的研究

文章分析了信元总线型ＡＴＭ交换技术的特点与应用范围，研究了这一交换方式的工作机制以及总线争用仲裁、总线寻址、交换路由控制等关键技术等问题。最后给出了一种信元总线交换的典型应用。     

键合类陶瓷外壳结构对高频信号传输性能的影响

针对陶瓷外壳中影响高频信号传输性能的键合指、传输线、过孔和返回路径平面等结构进行仿真研究,得到了在0～ 20 GHz频带内的最优参数模型.将其应用于某CLGA49陶瓷外壳产品,高频信号传输性能实测结果与仿真结果符合较好,验证了仿真结果的准确性.结果 表明,增大键合指与键合丝连接处的宽度为与之相连接微带传输线宽2～2.3倍时,传输性能显著提高;单端阻抗为50 Ω,线宽更窄的互连线更有利于传输高频信号;过孔直径增大,接地过孔长度增长会改善传输性能;减少陶瓷外壳中返回路径平面的层数会改善高频信号的传输性能.     

B-ISDN中ATM层规约的研究

本文针对实现B-ISDN的核心技术之一的ATM层规约进行了研究。分析了ATM层规约的工作机制,继而设计了ATM层规约的实现电路并在电子电路CAD系统上调试通过,并对ATM层规约的性能变化规律进行了研究。     

宽带综合业务数字网中的拥塞控制技术

宽带综合业务数字网中的拥塞控制技术段强宽带综合业务数字网（Ｂ─ＩＳＤＮ）是现代电信网的发展方向，拥塞控制技术则是其中的一个重要问题。由于Ｂ─ＩＳＤＮ采用新的信息传递方式─异步转移模式（ＡＴＭ），使传统的拥塞控制方法不再适用。本文依据国际电信联盟ＩＴＵ...     

B—ISDN中的拥塞控制技术

Ｂ－ＩＳＤＮ是现代电信网的发展方向，拥塞控制技术则是其中的一个重要问题。由于Ｂ－ＩＳＤＮ采用新的信息传递方式－ＡＴＭ，使传统的拥塞控制方法不再适用。本文依据ＩＴＵ－Ｔ有关建议的最新内容对Ｂ－ＩＳＤＮ拥控制的基本思想、工作机制以及其中的主要功能作了较为详细的分析讨论，并提出了一些Ｂ－ＩＳＤＮ拥塞控制技术中尚需进一步研究的问题。     

小节距CQFN外壳设计与加工工艺研究

基于高温共烧陶瓷（HTCC）技术,研制出0.4 mm节距的陶瓷四边无引线扁平外壳（CQFN）。采用有限元分析软件对外壳的结构可靠性进行仿真优化,优化结果表明外壳受到的应力小于陶瓷的抗弯强度;利用电磁仿真软件对外壳的高频传输性能进行仿真优化,通过优化侧面空心金属化过孔结构、空心过孔与接地共面波导的过渡结构等,实现整体传输路径50Ω阻抗匹配。利用矢量网络分析仪和探针台对制作的外壳进行了高频传输性能的测试,测试结果表明,在DC～26 GHz频段内,外壳射频端回波损耗小于15 dB,插入损耗小于0.5 dB。设计的外壳结构和射频端口传输模型可以有效地应用到其他高频CQFN封装外壳设计中。     

焊盘阵列陶瓷封装外壳手动搪锡方法研究

针对某型号陶瓷封装DC-DC电源稳压器手动搪锡过程中的瓷裂现象,通过失效分析发现其失效原因为300℃搪锡条件下陶瓷局部热应力过大。通过有限元分析,发现塘锡前增加预热工艺可将陶瓷局部应力降低到安全范围。采用预热方案(140℃预热,烙铁温度设置为260℃)对该陶瓷封装产品进行验证,搪锡后无瓷裂现象,且产品满足200次温循(-65℃～150℃)、10000 g恒定加速度的可靠性要求,解决了300℃手动搪锡条件导致的瓷裂问题。