基于回归正交设计的ICP刻蚀机工艺腔室流场特性分析

为研究感应耦合等离子体(IcP)刻蚀机工艺腔室结构对流场特性的影响,采用回归正交设计方法对腔室半径、腔室高度、进气口半径以及进气流量4个设计参数进行试验设计,利用商业软件CFD-AcE 建立IcP刻蚀机工艺腔室二维流场仿真模型.定义了静电卡盘上方气压分布均匀性评价函数,通过对试验结果的回归分析,确定了关键参数对气压分布均匀性影响程度的定量关系,并由此建立了拟合度较高的二次回归方程.结果表明腔室高度为最显著影响因素.经过验证可见,回归方程的计算结果与仿真分析结果保持了较高的一致性,可以为结构与工艺条件相近的刻蚀机、化学气相沉积(CVD)设备以及氧化/扩散系统的结构研究与设计提供参考.     

光刻机超精密工件台研究

针对步进扫描投影型光刻机超精密工件台开展研究熏所搭建的超精密气浮运动试验台采用气浮直线导轨支撑、直线电机驱动、直线光栅尺反馈组成大行程直线运动系统,其上叠加洛仑兹电机驱动的气浮微动台,提供对直线电机运动的精度补偿,由双频激光干涉仪提供粗、精动运动系统的超精密位置检测和反馈,两套直线运动系统可研究同步扫描运动,并可灵活地组成多种x-y超精密运动系统。介绍了基于该试验台进行的超精密运动控制试验研究,运动定位精度已经达到12nm     

基于回归正交设计的ICP刻蚀机工艺腔室流场特性分析

为研究感应耦合等离子体(IcP)刻蚀机工艺腔室结构对流场特性的影响,采用回归正交设计方法对腔室半径、腔室高度、进气口半径以及进气流量4个设计参数进行试验设计,利用商业软件CFD-AcE+建立IcP刻蚀机工艺腔室二维流场仿真模型.定义了静电卡盘上方气压分布均匀性评价函数,通过对试验结果的回归分析,确定了关键参数对气压分布均匀性影响程度的定量关系,并由此建立了拟合度较高的二次回归方程.结果表明腔室高度为最显著影响因素.经过验证可见,回归方程的计算结果与仿真分析结果保持了较高的一致性,可以为结构与工艺条件相近的刻蚀机、化学气相沉积(CVD)设备以及氧化/扩散系统的结构研究与设计提供参考.     

塑封芯片烘烤过程的有限元分析

含有湿气的塑封芯片在进行焊接时由于湿应力和蒸汽压力的作用,容易产生内部分层或“爆米花”效应,因此长期存放的塑封器件在回流焊前必须要进行烘烤以驱除内部的湿气。文章针对实际的PBGA和PQFP器件,利用有限元模型分析了烘烤过程中湿气扩散随时间变化的规律,以及温度对烘烤效果的影响。有限元模拟计算表明,随着烘烤时间的推移,湿气减少的速度越来越低;随着温度的降低,所需的烘烤时间迅速增加。PQFP器件的芯片粘接剂层由于空间狭窄,很难被烘干。     

拆解芯片的可重用性研究

对实验室自主研发的电路板无损拆解机拆解所得芯片的可重用性进行了分析研究.研究表明.潮气是导致拆解过程中芯片分层的主要因素;芯片分层问题可以通过电路板充分干燥后再进行拆解得到解决;破坏性物理分析(DPA)表明,正常使用4～5年的芯片内部没有出现明显的蠕变、腐蚀等可能导致芯片潜在失效的因素,拆解芯片具有较高的可重用价值.     

IC加工及检测装备超精密工作台自标定技术研究

在对超精密工作台自标定相关文献综述的基础上,基于刚体运动方程和非线性最优化方法,提出了一种超精密工作台自标定算法。仿真结果表明:该算法可以实现超精密工作台的标定,并且其最终标定精度与辅助测量装置精度无关,只受自标定过程中随机测量噪声的影响。     

基于PCI总线的LED固晶机系统研究

介绍了LED固晶机的工作原理.阐述了其系统设计思想和实现方法,分析了其运动控制系统采用基于PCI总线的运动控制卡与口C工控机相结合的方案,其气动部分和机器视觉部分也是通过PCI总线实现相互间的数据通信,讨论了其运动控制的核心内容运动时序的控制.该系统通过了实验室的调试,具有高精度、高速度、人机交互性好等特点.