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通过实验,证明了n/n~ 外延层经Sirtl浸蚀剂浸蚀后,所形成的“雾状”微缺陷,可导至p-n结的软击穿和低击穿,是降低器件成品率的重要原因之一.针对此种情况,提出了三种在外延层正面吸除杂质的方法:氧化-剥层-腐蚀法,硼扩散结吸收法及磷硅玻璃吸取等,并探索了其工艺条件.实践证明,三种措施都可在不同程度上降低外延层中“雾状”微缺陷的影响而提高器件成品率.为从根本上消除外延层中的“雾状”微缺陷,试建了一套亮片生产工艺,可将外延层中“雾状”微缺陷的密度,降到远低于10~5厘米~(-2)以下而获得亮片.在用此类外延片制作器件时,其管芯成品率可成倍提高. 相似文献
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