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<正> 半导体生产中的光刻工艺要求使用能确定器件某种特征的高质量的掩模材料。除了要求掩模材料能阻挡光刻操作所必需的光化辐射外(主要是紫外线),对掩模材料的要求可能是完全不同的。对各类掩模的基本要求是薄膜要耐用、耐划、热稳定性好、与玻璃的粘附性好、以及能抵抗有机清洗剂或溶剂的浸蚀,没有针孔等。最通用的材料是在钠钙玻璃或硼硅玻璃板上的700~1000埃厚的铬。铬掩模较早地取代了照相乳剂掩模,因为不透光层较薄、较硬,以及线条清晰。超大规模集成电路(VLSI)微型化的趋势,结合由电子束制造主掩模和投影复印,也已增加了对掩模材料的要求。发展 VLSI 的重点放在低缺陷密度和无针孔的材料上。增加图形的复杂性和使用正性抗蚀剂导致了大量掩模的大范围不透明,因此定位更 相似文献
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一、引言千兆赫频带功率管的进展非常显著,最近终于出现了4千兆赫下输出5瓦、增益为4分贝的晶体管。几乎在同时,我们也报导了在4千兆赫下输出1瓦,增益为5分贝的FT1706型晶体管的研究工作。研究千兆赫频带功率晶体管时,需要解决的特殊问题是:(1)减小发射极陷落效应(简称EDE),(2)减小半导体管壳的寄生参量。其中,我们特别注重前者,由于减小了EDE,就得到在4千兆赫下输出1瓦的晶体管。同时,使用了进一步改进的减小公共端电感和输入输出端反馈电容的同轴管座。众所周知,如用磷做发射极掺杂,则将显著发生EDE,这样不仅不能减薄基区宽 相似文献
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X 线复印为什么变得必要起来?本文叙述了它的发展必然性与电子束复印的相互关系,为了对 X 线复印的原理进行讲解,在对掩模、X 线源,X 线抗蚀剂,掩模重合等边举实例的同时,边注重解释它们各自对应的原理。特别是考虑到想把 X 线复印与电子束的方法加以比较的读者很多,本文着重解释电子线与 X 线在束的散射文式上到底有什么不同。因现在还没有发表过更多的应用实例,所以这里只例举了林肯研究所的实验成果。 相似文献
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