一种提高ESD性能的高压SBD器件结构研究

提出了一种新型SBD器件结构,并应用于高压SBD产品的研制。该结构通过在肖特基势垒区的硅表面增加一层表面缓冲掺杂层(Improved Surface Buffer Dope),将高压SBD的击穿点从常规结构的PN结保护环区域转移到平坦的肖特基势垒区,从根本上提高了器件的反向静电放电(ESD)和浪涌冲击能力。经流片验证,采用该结构的10A150VSBD产品和10A200VSBD产品均通过了反向静电放电(HBM模式)8kV的考核,达到目前业界领先水平。该结构工艺实现简单,可以应用于100V以上SBD的批量生产。     

PJFET与双极兼容工艺技术研究

通过对PJFET与双极兼容工艺技术的研究,解决了PJFET和双极兼容工艺中的技术难点,得到了IDSS＝150～350 μA(W/L = 10∶1)、VP = 0.8～1.2 V、IGSS = 10-12～10-11A的高性能PJFET和β=100～250、BVCEO ≥ 36 V、Va ≥ 100 V 的NPN管.采用该技术,成功研制出一种偏置电流小于100 pA的高精密双极结型场效应晶体管(BJFET)集成运算放大器,获得了良好的效果.     

一种高压低功耗比较器电路的设计

提出了一种高压低功耗比较器电路。该电路基于0.5 μm CMOS工艺设计,采用差分对单端输出结构,利用高压PMOS尾电流进行偏置,实现了降低功耗的目的。结果表明,该电路静态电流约为8.25 μA,工作电压范围为3～18 V,输入失调电压为5 mV,输入失调电流约6 fA,输入偏置电流约2.5 pA。该电路适用于低功耗、高压模拟模拟集成电路领域。     

一种PN结隔离互补双极工艺

介绍了几种互补双极工艺的结构和特点，详细阐述了一种基于N型外延的PN结隔离互补双极工艺；着重探讨了隔离制作技术和PNP管设计要点，并对实际流片结果进行了讨论。     

一种电流型10位D／A转换器

本文介绍了１０位Ｄ／Ａ转换器ＳＤＡ１００的电路结构和工作原理，重点叙述了工艺制作技术以及电路中ＣｒＳｉ薄膜电阻的激光修调技术，并介绍了一些实际制作经验，为以后的设计提供参考。     

一种超βNPN晶体管的研制

阐述了一种超β NPN型晶体管的研制及实现批量生产的过程。该晶体管在VCE=5V、Ic=500mA大电流下工作时，电流增益可达到900-1800，且器件的BV CEO、BV CBO耐压比较高，其中，BV EBD达15V以上，完全满足低频大电流超高增益晶体管的实用要求。