ECLIPSE TD510ZMK2/TD510MK2扬声器系统全部都重新设计表现力更加出众TD扬声器的最新一代

富有精密感的音场再现中增加了规模感坚持着该公司所独有的平衡与美 光看型号,会以为这两款机型是升级版的,但事实上并非如此,这些都是全部重新设计的新产品.采用和制振台一体化设计的是TD510ZM K2,分开的是TD510MK2.这两款产品与上一代产品的最大区别在于,鸡蛋形箱体的内部容积扩大了约14％,在抑制全音域单元的背压影响、改善运动速度的基础上,扩大了播放频率,可谓一举两得.10cm驱动器也做了小改良.边缘采用丁基橡胶,使之最大限度地适应音圈,提高了前后运动的对称性,磁路的磁束密度也比上一代提高了约4.5％.抑制了磁场失真.TD510ZMK2的底座基本上沿袭自旗舰机TD712ZMK2.扬声器能够在-10度～15度范围内进行调整.另一方面,TD510MK2采用特殊固定结构的点接触式,可以在-10度～30度范围内进行角度调节.     

自组织InAs/GaAs量子点的表面氮化研究

用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的InAsN薄膜作为应变缓和层覆盖在量子点的表面,使得随着氮化时间的增加,InAs量子点的位错密度提高、尺寸变大、纵横比提高、发光波长变长、强度变低。     

談談怎样处理数学習題的問题

究竟怎样改进数学作業的檢查和批改工作,是一个爭論已久的問題,也是我个人很有兴趣的一个問題。我認为这一工作的改进要牽涉到下面三个問題:(1)怎样深入地鑽研教材,認真备課,积極地改进教学方法,使学生当堂弄会弄透,以达到融会贯通。     

电子束退火技术

在由离子注入的杂质掺杂,电极金属材料的烧结等半导体器件制作工艺中,退火是其重要的工艺之一。在半导体工艺技术的研究中,进行了大量的技术革新,并发展了许多新技术,这对现代的电子学发展作出了重大的贡献。就拿退火技术来说,自半导体器件出现以来一直是采用在电炉内加热的办法,与其它的工艺技术一样并没有发生巨大的变化。但是,最近以来,退火工艺中也开始试图引入一种新的     

高集成度大规模集成电路掩模的制作技术

随着半导体集成度的提高、芯片尺寸的增大,掩模的质量成了影响片子成品率的最重要因素之一。大量生产高质量的掩模技术,对半导体工业是不可缺少的,也可以说是决定集成度界限的技术。尺寸为5毫米见方的芯片,集成度在1500门以上的LSI掩模的设计,要求是图形尺寸为5微米,图形重合精度、尺寸精度为±0.5微米。掩模制造系统分设备、材料、工艺三大部分。近几年来,由于设备显著改进,工艺几乎都自动化,基本上满足了上     

硫醇末端基聚合物对金纳米粒子配体置换

探讨了具有硫醇末端基的聚苯乙烯分子量对配体置换法制备聚合物接枝金纳米粒子的影响.通过可逆加成-断裂链转移(RAFT)聚合反应合成了一系列具有不同分子量的聚苯乙烯(PS),并以正丙胺为还原剂将双硫脂末端基还原成硫醇(—SH).通过用PS-SH配体置换将水相中金纳米粒子(Au NPs)转移至油相中,研究发现,PS分子量越大,进行配体置换得到单分散胶体粒子所需的PS-SH浓度越大.当PS-SH分子量达到59700时,即使增加溶液中PS-SH的浓度,仍无法在油相中得到单分散的稳定胶体粒子.     

Plasma-assisted surface treatment for low-temperature annealed ohmic contact on AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

In this study, a low-temperature annealed ohmic contact process was proposed on Al Ga N/Ga N heterostructure field effect transistors(HFETs) with the assistance of inductively coupled plasma(ICP) surface treatment. The effect of ICP treatment process on the 2DEG channel as well as the formation mechanism of the low annealing temperature ohmic contact was investigated. An appropriate residual Al Ga N thickness and a plasma-induced damage are considered to contribute to the low-temperature annealed ohmic contact. By using a single Al layer to replace the conventional Ti/Al stacks, ohmic contact with a contact resistance of 0.35 ?·mm was obtained when annealed at 575?C for 3 min. Good ohmic contact was also obtained by annealing at 500?C for 20 min.     

氢离子注入对硅单晶电子辐照缺陷和氢泡形成的影响

以50keV和100keV能量的氢离子注入p型(100)直拉硅单晶薄膜。注入剂量为10¹⁵—2×10¹⁷H⁺/cm²。试样在HU-1300型超高压透射电子显微镜中进行电子辐照和原位加热动态观察。结果表明在20—300℃温度范围内与未注氢硅相比,注氢硅在相同的电子辐照条件下产生的电子辐照缺陷较少,电子辐照缺陷形成所需的潜伏时间较长。在电子显微镜中加热试样时于190℃开始观察到氢泡,190—220℃范围内氢泡逐渐产生并长大 关键词：     

低能氘团簇离子(d+3)诱发固体靶内D-D核聚变过程中的团簇效应研究

通过对由三个氘原子组成的氘团簇离子(d⁺₃)与三个分立的氘核(3d⁺)在轰击吸氘固体靶时所发生的D-D聚变反应率的差别的研究，进而揭示氘团簇离子在与固体靶中的氘核发生聚变反应时所体现出的团簇效应.实验结果显示，在10—40keV/d能区，每个氘团簇中的氘核(d⁺₃/3)所产生的聚变反应率高于具有相同速度的独立氘核(d⁺)所产生的聚变反应率.反之，在50—100keV/d能区，独立氘核比之于氘团簇中的单个氘核所产生的聚变反应率要高.两者之间的比值具有非常明显的能量相关性.这种团簇特性与团簇离子本身特性及固体靶环境等多方面因素有关.对其作用过程和实验中观测到的现象的实质做了具体讨论. 关键词：     

镍表面上CO和H2的吸附脱附速度

利用同位素跳跃技术和闪脱技术测得了CO和H_2在多晶Ni箔上的净吸附和净脱附速度。发现在Ni箔上吸附CO时,存在吸附促进吸附现象。但当吸附H_2时,则不发生此现象。表面上吸附的CO(a)的脱附被气相H_2(g)稍微加速(V_-~(co)(N_(co),P_(H_2))>0),H_2的吸附减少了CO(a)吸附量。气相中CO(g)也促进了表面上H(a)的脱附(V~H-(N_H,P_(co))>0),但表面上的CO(a)并不促进H(a)的脱附(V_H-(N_H,N_(co)≈0),这可能由于吸附时CO(g)和H(a)发生了相互作用。