深亚微米工艺下集成电路的电磁兼容性设计（上）

随着IC设计逐步进入VDSM阶段，SOC逐步成为设计的主流，IC设计需要关注的问题也在逐步增加。以前设计时，主要关注芯片面积的大小；在80年代后期，延时(Delay)逐渐成为设计人员关注的问题；进入90年代芯片的功率消耗也成为必须考虑的问题；近来制造中的成品率(Yjeld)，芯片工作中的可靠性，以及电磁干扰噪声(EMI—Noise)也开始成为设计必需满足的条件了。     

内蒙古广播电视信息网络有限公司全区办公电话组网方案

内蒙古广播电视信息网络有限公司光缆干线全长8000多公里,100多个传输机站。要确保线路安全运行,维护工作尤为重要。系统公务电话的建立为全线各站联络、调度、指挥起着极为重要的作用。随着各盟(市)分公司的正式运营和旗县有线网络的整合,业务流量大大增加,总公司与分公司,分公司与所属机站之间的联络日益增多,组建内部通讯网络不仅能保证通信的畅通,还可以节约大量长途通信费用,因此得到了公司的高度重视。我们利用已有的光缆网络及现有资源设备实现了全区广电网络办公电话互联互通。     

光纤白光干涉仪等臂长技术研究

介绍了几种光纤干涉仪等臂长技术,比较了各自的优缺点和适用范围,对光纤干涉仪的平衡有较大的参考价值。     

静电加速管中强流空间电荷效应的研究

 对一种工业用大功率电子加速器(450kW)的加速管中的空间电荷效应作了5点假设，建立了物理模型。对模型的束内外径向电位分布、空间电荷对轴上电位的影响，以及空间电荷力对束流传输的影响等进行了理论分析，得到了束内径向电位分布。结果表明：束流内部径向电位沿径向均呈抛物线变化，并在轴上达到最小值；而空间电荷产生的束内电场与半径呈线性变化；空间电荷不仅会引起轴上电位的跌落，而且对束流有发散作用，特别是在电子速度较低时更为明显。在考虑了空间电荷效应后，强流静电加速管的电场设计关键在加速管的前端，与弱流加速管相比，强流加速管的电场变化要大得多。     

完备可分度量群上的齐次Levy过程的复合Poisson逼近

该文利用算子半群的方法给出了取值于具有左不变度量的完备可分群的齐次Levy过程是复合Poisson过程的弱极限这一结论．     

MC68302芯片在通信中的应用

本文介绍了一种高集成、高性能的多规程通信接口芯片──ＭＣ６８３０２，详细说明了其内部硬、软件结构，并据亲身应用所得经验和体会，从多方面介绍利用该芯片设计各种通信电路。     

环面上具有间断梯度的势函数的模拟退火

本文证明了环面上具有间断梯度的势函数的模拟退火过程：dXt=-VU(Xt)dt √2dWt概率收敛到势函数的全局极小集附近。     

激光探测设备灵敏度测量的新方法

文中对激光探测设备灵敏度测量的几种方法进行了分析，指出存在的缺陷，给出了一种利用光纤测量灵敏度的新方法，测量更准确，操作更方便，具有工程应用价值。     

中国8位微控制器市场一瞥

随着CMOS IC生产工艺的不断进步,目前技术上已经进入深亚微米阶段,可以把复杂的微控制器(MCU)内核集成在一块芯片上,同时留有足够的硅片面积用于实现复杂的存储器和外设逻辑,过去用于高端32位和64位CPU的设计方法和架构现在已经能够有效的用于低价8位微控制器系统.利用这些功能强大而且便宜的微控制器,全系统的集成度不断提高.硬件结构可执行更复杂高效的程序,集成更多的硬件功能.应用领域和市场容量越来越大.