差分跳频系统对抗初探

以CHESS系统为例,介绍了差分跳频通信系统的基本原理,对其抗常规有意干扰的性能作了简要分析;在此基础上,初步探索了对CHESS系统进行侦察干扰的方法,并在计算机上对干扰效果进行了仿真比较。     

纳米器件的一种新制造工艺——纳米压印术

纳米压印术可以用于大批量重复性地制备纳米图形结构。此项技术具有操作简单、分辨率高、重复性好、费时少,成本费用极低等优点。本文介绍了较早出现的软刻印术的两种方法———微接触印刷法和毛细管微模制法。详细讲述了纳米压印术(主要指热压雕版压印法)的各步工序———压模制备、压印过程和图形转移,以及用于压印的设备、纳米图案所达到的精确度等,还简述了纳米压印术的另一方法———步进-闪光压印法。最后,通过范例介绍了纳米压印术在制作电子器件、CD存储器和磁存储器、光电器件和光学器件、生物芯片和微流体器件等方面的应用。     

对<再论“EPR”问题的双波解答>的评论

论文“再论‘EPR问题的双波解答”是错误的.由该文给出的自旋状态的双波描述可以推算出自旋为h/2的粒子有不是±h/2的自旋观测值(例如0值),这显然与实验不符,因此该文不能够对EPR问题(自旋提法)作出正确解答.     

衬底对化学气相沉积法制备氧化硅纳米线的影响

通过化学气相沉积法在不同衬底上制备了大量的氧化硅纳米线.选用衬底为Si片、带有约100nm厚SiO2氧化层Si片和石英片.利用场发射扫描电子显微镜(SEM)和透射电镜(TEM，配备有能谱仪)对样品的表面形貌、结构和成分进行研究.结果表明：这些纳米线都为非晶态，但在不同衬底上生长的纳米线形貌、尺寸和化学成分不同.讨论了各种衬底对不同特征氧化硅纳米线生长的影响. 关键词： 化学气相沉积 纳米线 纳米颗粒     

纳米器件的一种新制造工艺——纳米压印术(续)

3.3.2图案的保真度、压印面积与图案均匀性Chou等人[15]曾经把聚合物薄膜上压印出的沟槽图案与进而用剥离技术转移得到的线条图案进行比较,以此作为图案保真度的指标。结果是:压印所得宽15nm的沟槽,经过剥离技术转移后成为宽25nm的线条。Dahl-YoungKhang等人[20]用直径100mm的压模在直径100mm的硅片上压印出了分布于不同位置的5个纳米图案,这5个图案与压模上相应图案没有明显的不同,可见在大面积上压印图案的均匀性很好。图8(b)是5个聚合物图案其中一个的SEM照片,图案是一排宽度小于100nm的沟槽,图8(a)是与之相应的压模上图案,可以看出图…     

Morphologies and microstructures of carbon nanotubes prepared by self—sustained arc discharging

We have investigated the morphology and microstructure of carbon nanotubes and nanoparticles in cathode deposits prepared by self-sustained arc discharge. Scanning electron microscopy images indicate that there are two regions exhibiting different morphologies on the top surface of the cathode deposits. In the central region, there is a triangular pattern of spots with a diameter up to 100μm, which consists of carbon nanotubes and nanoparticles. In the fringe region, carbon nanotubes and nanoparticles are distributed randomly. In addition, carbon nanotubes in the central region have a larger inner diameter, compared with those in the fringe region. The outer diameter distribution of tubes in the central region is narrower than that of tubes in the fringe region, while the former has a smaller peak value than the latter. For the nanoparticles, they exhibit a different behaviour from the tubes existing in the same region. The difference between the microstructure of tubes or particles in the two regions is attributed to the different temperatures and temperature gradients during their formation.     

Al_xGa_(1-x)As:Si中DX中心的双极化子机制及统计分析

基于极化子和双极化子的物理图像,采用无拟合参数的巨正则统计方法计算了Si掺杂的AlxGa1-xAs的导带载流子浓度,计算得到的理论结果从高温到低温都与实验结果定量一致.计算证实了AlxGa1-xAs:Si中的DX中心的基态DX-是电子-晶格相互作用产生的负电双极化子.处于热平衡状态时,施主Si在AlxGa1-xAs中除了电离状态,处于不同晶格构型的单、双极化子态共存,低温时双极化子态被冻结;光照下发生持续光电导时,双极化子态变成单极化子态同时向导带释放一个电子,此过程伴随着进一步的晶格弛豫.理论与实验的对照说明单电子局域的DX0态在热平衡时并不能稳定存在,这和提出的双极化子机制是完全一致的.