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报道了一种使用氧化物纳米线(ZnO)构建的新型太赫兹探测器。首先合成了高品质的ZnO纳米线,并且以此制备了场效应管。通过电输运测量得出ZnO纳米线具有高的开关比和良好的场效应迁移率,因此ZnO纳米线可作为基于一维场效应管模型的太赫兹探测器的感应端。在室温下不同强度的入射太赫兹波(0.3 THz)都可引起光电压。此外,进一步的分析证明太赫兹波的光敏效应是由于ZnO样品自身的高迁移率引起的,这也说明了氧化物纳米电子学将在太赫兹领域得到更广阔的应用。 相似文献
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