军事短波通信中的干扰问题

在军事领域中,短波通信有着举足轻重的地位,有时候决定一场战争的结果.所以在短波通信中经常会受到各种人为或者非人为的干扰.本文就军事短波通信中的干扰问题展开阐述,包括干扰类型和各种抗干扰技术.     

InP晶圆背面减薄工艺中翘曲度的控制与矫正

背面减薄是制备InP基光电子芯片的一道重要工艺。晶圆被减薄后失去结构支撑,会因应力作用产生剧烈形变,翘曲度大幅提高。严重的翘曲会使芯片可靠性降低甚至失效,应对晶圆的翘曲度进行控制和矫正。文章从“损伤层-翘曲度”理论出发,实验研究了晶圆厚度、粘片方式、研磨压力、磨盘转速、磨料粒径对翘曲度的影响。根据试验结果优化工艺参量,优化后晶圆的翘曲度降低了约20%;再通过湿法腐蚀去除损伤层,矫正已产生的翘曲,使晶圆的翘曲度降低约90%。优化减薄工艺降低损伤应力与湿法腐蚀去除损伤层分别是控制和矫正晶圆翘曲度的适用方法,可使翘曲度下降至之前的10%以内。     

二氧化碳热泵热水器充注量的不动点优化

二氧化碳跨临界循环应用于热泵热水器具有供水温度高、能效高的优点,而最优高压控制是保证其高能效的关键之一.为了避免实际系统最优高压控制的复杂性,提出通过系统设计实现最优充注量近似不变的充注量不动点优化方法,可避免最优高压控制,在保证系统高能效运行的同时极大地简化了系统控制.仿真计算表明,通过调节换热器大小并在气体冷却器出...     

100 mm InP晶圆临时键合解键合工艺技术

InP基阵列近红外焦平面探测器的研发是近年来的热点，其器件性能的提升主要依赖于化合物半导体InP芯片的工艺优化。针对超薄InP晶圆在减薄抛光工艺过程中容易出现的形变、碎裂、损伤等问题，设计了一种临时键合及解键合工艺技术。结果表明，该技术成功实现了表面具有微观结构的超薄100 mm(4英寸)InP晶圆的临时键合及解键合，有效解决了减薄生产中碎片的问题，对芯片工艺优化具有重要的指导意义。