IC塑料封装中的损伤

芯片集成度的提高和大面积化，封装多针脚、细引线、小型化等会引起器件可靠性的下降。本文依据强度理论和试验，预测塑料封装中的损伤模型并提出了减少损伤，增加了可靠性的措施。     

低介电常数陶瓷复合基板材料

复合陶瓷材料具有较低的介电常数，可与Ｃｕ、Ａｇ导体共烧得到多层基板。这种基板适合于ＬＳＩ高速、高集成度的要求。本文介绍了复合陶瓷基板材料的特征及降低介电常数的措施。     

AlN基板与金属化层界面的分析电镜研究

利用各种分析电镜观察了掺杂助烧剂和未掺杂助烧剂的ＡｌＮ陶瓷的微观结构特征，鉴别了ＡｌＮ中的第二相，研究了ＡｌＮ基板上薄膜（Ａｕ－Ｐｔ－Ｔｉ）和厚膜（Ｍｏ－Ｍｎ）金属化界面的结构。     

VLSIC用AlN封装的金属化及元件设计

为满足超大规模集成电路的要求，人们对ＡｌＮ陶瓷封装进行了大量的研究，通过实际 性能和结构设计，本文讨论相关的金属化工艺和金属元件的设计加工等。     

超级计算机工程中的基板技术

超级计算机性能的提高得益于ＬＳＩ的高速、高集成化，同时要求ＬＳＩ封装基板具有高的引线密度、低的介电损耗、高的散热能力等。本文针对几种超级计算机介绍了相关的基板技术。     

薄膜多层内连（TFML）技术

薄膜多层内连是实现集成电路高密度、高速度封装的一种理论途径。本文对ＴＦＭＬ的多种制作工艺进行了简介，对最近有关ＴＦＭＬ的的研究前沿进行了描述。     

VLSIC用AlN封装的金属化及元件设计

为满足超大规模集成电路的要求，人们对ＡｌＮ陶瓷封装进行了大量的研究。通过实际考察材料的性能和结构设计，本文讨论了相关的金属化工艺和金属元件的设计加工等     

高热导AlN──新型陶瓷基片及封装材料

ＡＩＮ陶瓷具有高的热导率和与Ｓｉ相接近的热膨胀系数以及电绝缘特性，是一种应用前景极好的基片材料。本文介绍了ＡＩＮ陶瓷的基本特征、用于陶瓷基片和封装材料的工艺难点及ＡｌＮ陶瓷的应用现状和前景。     

低介电常数陶瓷复合基板材料

复合陶瓷材料具有较低的介电常数，可与Ｃｕ、Ａｇ导体共烧得到多层基板。这种基板适合于ＬＳＩ高速、高集成度的要求。本文介绍了复合陶瓷基板材料的特征及降低介电常数的措施。