通信交流供电方案初探

在通信供电系统中,与直流供电系统相比,从设计、设备技术,到运行维护管理,交流供电系统都有所滞后。借鉴直流供电系统经验,通过应用N X并联逆变器模块热插拔技术,实行分散式供电,进而改变传统的以UPS为核心的集中供电模式,则可在很大程度上解决一直困扰着我们的交流供电系统成本高和可靠性低的难题。     

受限空间油气爆燃火焰形态

通过受限空间油气爆燃可视化实验发现，在不同初始油气体积分数下，爆燃火焰呈现出不同的表观特征，据此提出了受限空间油气爆燃的3种火焰形态，即光滑球形火焰、褶皱球形火焰和卷曲絮状火焰。分析了3种火焰形态的形成机理，并通过实验观测与理论分析，给出了区分3种火焰形态的临界条件。结合实验中采集到的关键参数，总结了不同的火焰形态下受限空间油气爆燃的反应产物、最大压力、升压速率、反应时间、火焰强度等关键参数的特征与变化规律。     

多酸化学简史

多酸化学是关于同多酸和杂多酸的化学[1],是无机化学的一个重要研究领域,至今已有近200年的历史。由同种含氧酸根阴离子缩合而成的称为同多阴离子(如MoO24-→Mo7O624-),其酸称为同多酸。由不同种类的含氧酸根阴离子缩合而成的称为杂多阴离子(如WO24- PO34-→PW12O340-),其酸称为杂多酸[2]。13个历史阶段1826年,J.Berzerius发现将钼酸铵加到磷酸中会产生一种黄色沉淀物,由此成功地合成了第一个杂多酸盐———12-钼磷酸铵,但在当时还谈不上研究其组成问题,有人称此时期为多酸研究的史前时期[2]。1864年,C.Marignac合成并表征了第一个钨…     

1.5μm LUMINESCENCE CHARACTERISTIC OF ERBIUM IN B, P DOPED a-SiO:H FILMS

Hydrogenated amorphous silicon films co-doped with oxygen (O), boron (B) and phosphorus (P) were fabricated using PECVD technique. The erbium (Er) implanted samples were annealed in a N₂ ambient by rapid thermal annealing. Strong photoluminescence (PL) spectra of these samples were observed at room temperature. The incorporation of O, B and P could not only enhance the PL intensity but also the thermal annealing temperature of the strongest PL intensity. It seems that the incorporation of B or P can decrease the grain boundary potential barriers thus leading to an easier movement of carriers and a stronger PL intensity. Temperature dependence of PL indicated the thermal quenching of Er-doped hydrogenated amorphous silicon is very weak.     

紫外光引发阳离子聚丙烯酰胺的红外光谱研究

以丙烯酰胺(AM)、 丙烯酰氧基乙基三甲基氯化铵(DAC)、 丙烯酸丁酯(BA)为单体,采用紫外光引发聚合制备阳离子聚丙烯酰胺P(AM-DAC-BA)。 采用紫外光谱和红外光谱研究其结构特征;分析AM,DAC,BA,P(AM-DAC-BA)的红外光谱中的典型红外振动频率的归属。 通过与单体红外光谱比较得出：由于聚合产物的对称性增加,聚合产物红外光谱更加简单。 P(AM-DAC-BA)的特性粘度随着光强、 BA含量、 光引发剂浓度、 光照时间的增加而增加。 选取AM,DAC,BA中的—CONH₂,—COOCH₂(CO), —COOCH₂—(C—O—C),—CH₂—N+(CH₃)₃基团吸收峰为特征吸收峰,随着光强、 BA含量的增加,特征峰面积增加;随着光引发剂浓度增加特征峰面积却呈现减少趋势;随着光照时间增加,峰面积是先减小后增加。 但不同P(AM-DAC-BA)在红外光谱上对应的特征吸收峰的峰型类似,特征峰位置基本一致。     

掺铒a-Si∶H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构

采用等离子化学气相淀积方法 ,改变 Si H4 和 N2 O的流量比制备含有不同氧浓度的 a- Si∶ H,O薄膜 .用离子注入方法掺入铒 ,经 30 0— 935℃快速热退火 ,在波长 1 .54μm处观察到很强的室温光致发光 .氧的加入可以大大提高铒离子的发光强度 ,并且发光强度随氧含量的变化有一个类似于高斯曲线的分布关系 ,不是单调地随氧含量的增加而增强 .研究了掺铒 a- Si∶ H,O薄膜和微结构 ,讨论了发光强度与薄膜微结构的关系 .     

掺铒a-Si:H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构

采用等离子化学气相淀积方法,改变ＳｉＨ４和Ｈ２Ｏ的流量比制备含有不同氧浓度的ａ－Ｓｉ：Ｈ,薄膜,用离子注入方法掺入铒,经３００－９３５℃快速热退火,在波长１．５４μｍ处观察到很强的室温光致发光。氧的加入可以大大提高铒离子的发光强度,并且发光强度随氧含量的变化有一个类似于高斯曲线的分布关系,不是单调地随氧含量的增加而增强,研究了掺铒ａ－Ｓｉ：Ｈ,Ｏ薄膜和微结构,讨论了发光强度与薄膜微结构的关系。     

职业学校化学教学中的化学史教育

本文根据作者在职业学校的化学教学实践,介绍了化学史教育可以通过课堂渗透和课外活动等多种形式和方法进行。     

从专利分析看国内发光二极管的发展趋势

光电子技术的发展潜力巨大，而发光二极管(LED)的应用领域也越来越宽广，尤其是作为光源和照明等领域的应用。本文通过对国内专利，包括国外在我国申请的发光二极管专利进行各种指标的定量分析，阐述了该技术的现状和发展趋势，并给出了一些建议。     

掺铒氢化非晶氧化硅1.54μm发光性质的研究

采用等离子体增强化学汽相沉积技术生长不同氧含量的氢化非晶氧化硅薄膜(a-SiOx:H),离子注入铒及退火后在室温观察到很强的光致发光.当材料中氧硅含量比约为1和1.76时,分别对应77K和室温测量时最强的1.54μm光致发光.从15到250K的变温实验显示出三个不同的强度与温度变化关系,表明氢化非晶氧化硅中铒离子的能量激发和发光是一个复杂的过程.提出氢化非晶氧化硅薄膜中发光铒离子来自于富氧区,并对实验现象进行了解释.氢化非晶氧化硅中铒发光的温度淬灭效应很弱.从15到250K,光致发光强度减弱约1/2.