纳米晶软磁合金中的结构对技术磁性的影响——Ⅱ.磁弹耦合作用

对磁弹耦合在决定纳米晶软磁合金宏观磁性中的作用进行了探讨,高场磁化规律以及正电子湮没测量表明:对Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉合金,准位错偶极子造成的应力场对畴壁的钉扎效应是造成纳米晶软磁合金矫顽力的重要原因;结构缺陷造成的应力场与磁致伸缩的耦合作用对纳米晶软磁性能有重要的影响.在结构各向异性和磁弹耦合能共同作用下可解释纳米晶合金表现出最佳软磁性能.     

MOCVD生长的CdZnTe／ZnTe多量子附的激子光学特性

用常压ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱。在室温下，观测到了ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱的三个谱带发光。根据ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱的吸收光谱和不同激发光强下的发光光谱，分别归结ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱中观测到的三个发光谱带于覆盖层发光、ｎ＝１的重空穴激子发光及杂质发光。     

后交联型St-DVB大孔吸附树脂对低级醇类的吸附性能研究

分别在静态和动态条件下研究了Friedel—Crafs后交联型聚苯乙烯-二乙烯基苯(St-DVB)大孔吸附树脂对水溶液中多种低级一元醇的吸附性能，测定静态吸附等温线和动态吸附曲线，并分别按照Langmuir和Freundlich模型进行拟合．结果显示，树脂对水中低浓度低级一元醇的吸附过程属于放热的物理吸附过程，树脂吸附能力随着一元醇碳原子数的增加，即分子内疏水基团质量的增加而增加；树脂对直链醇的吸附能力稍强于同分异构的支链醇．     

基于新型公平盲签名和属性基加密的食用农产品溯源方案

为解决食用农产品溯源中存在的身份隐私易泄露、难监管以及溯源数据共享困难等问题,该文提出一种基于新型公平盲签名和属性基加密的食用农产品溯源方案。该方案在联盟链授权访问、不可篡改特性的基础上,结合椭圆曲线和零知识证明提出一种新型公平盲签名方法,实现了食用农产品数据上传者身份条件匿名并通过双重ID机制避免了签名方陷害问题;方案同时采用Asmuth-Bloom门限改进的属性基加密结合智能合约技术实现了权限分层的食用农产品溯源数据秘密共享。各项分析及实验结果表明,该方案具备良好的安全性和功能性。     

软光刻技术制备液晶显示用定向层

以偶氮聚合物光致表面起伏光栅为模板,制备聚二甲基硅氧烷(PDMS)弹性印章,再以可溶性聚酰亚胺(PI)为“墨水”,在石英玻璃上压印出具有规则起伏结构的PI薄膜.由此制备的PI薄膜显示出很好的使液晶分子定向排列的效果.此方法成本低、效率高,是一种实用的液晶定向层薄膜制备方法.     

表面起伏光栅形成速率的影响规律 Ⅰ.偶氮生色团种类和官能度的影响

设计并合成了含有不同生色团以及不同官能度的环氧树脂基偶氮高分子 ,系统研究了偶氮生色团的种类和官能度对光栅形成速率的影响规律 .实验结果表明 ,偶氮苯对位是羧基的聚合物的光栅形成速率明显快于偶氮苯对位是硝基的聚合物 ,光栅形成速率随偶氮生色团官能度的增加而加快 .这两类聚合物都可以形成规整的可擦式表面起伏光栅     

磺化St/DVB窄分散微球的合成及其标记微量钇(Y~(3+))的生物相容性研究

采用复配分散体系和超速搅拌悬浮聚合工艺,合成粒径20~40μm的窄分散St/DVB微球,经磺化、纯化、化学修饰和Y~(3+)标记,检测其粒径分布及其在生理环境下Y~(3+)的稳定性与生物相容性。结果显示,微球呈淡黄色,经湿态水流筛分后粒径在20~40μm范围的占比95%,湿态交换容量为2.0mmol/m L,Y~(3+)标记量为5.0μg/m L,静态标记率为99.6%,在不同浓度浸提液中培养48h,细胞(L929)相对存活率101%~107%;在生理盐水中240h微球内Y~(3+)的渗出率0.01%,满足常规介入放疗载体所标记放射性元素渗出流失率不高于0.1%的要求。     

程控交换设备安装与维护教学内容的设计

实践教学是理论教学的有效补充，是专业技能的具体表现。在理论教学的基础上，结合现场工作的实际步骤，分析了程控交换设备的安装、业务开通及程控交换设备的维护三个业务情景的具体内容，最终使学习者掌握专业技能的具体流程和工作要点。     

N—N键合成方法的研究进展

N—N键广泛存在于药物、天然产物和有机功能材料中,如何高效构建N—N键是有机合成的一个重要研究方向.基于含氨基、氰基、硝基和叠氮基等含氮基团的有机化合物非常多,直接利用这些含氮基团进行N—N键偶联为合成含N—N键结构单元的有机化合物提供了新的策略.综述了近年来发展的分子间和分子内构建N—N键的合成方法,并且对该方法存在的难点以及未来发展方向进行了展望.     

面向微控制器的卷积神经网络加速器设计

针对目前嵌入式微控制器的性能难以满足实时图像识别任务的问题,提出一种适用于微控制器的卷积神经网络加速器。该加速器在卷积层设计了无阻塞的行并行乘法-加法树结构,获得了更高的硬件利用率;为了满足行并行的数据吞吐量,设计了卷积专用SRAM存储器。加速器将池化和激活单元融入数据通路,有效减少数据重复存取带来的时间开销。FPGA原型验证表明加速器的性能达到92.2 GOPS@100 MHz;基于TSMC 130 nm工艺节点进行逻辑综合,加速器的动态功耗为33 mW,面积为90 764.2μm²,能效比高达2 793 GOPS/W,比FPGA加速器方案提高了约100倍。该加速器低功耗、低成本的特性,有利于实现嵌入式系统在目标检测、人脸识别等机器视觉领域的广泛应用。