含Ni2+化学镀废液微波处理研究

探讨了微波辐照时间、微波功率大小、活性炭和NaOH添加量等对废液中Ni²⁺处理效果的影响,并对作用机理进行了分析。研究发现,加入活性炭并引入微波作用能够明显提高沉淀反应速率,活性炭在反应中起到催化剂作用;随着微波功率的增加,Ni²⁺沉淀反应速率不断提高,最终出现饱和;Ni²⁺质量浓度为1.25 g/L的废液100 mL,NaOH添加质量1.12 g时,沉淀反应达最佳状态。     

关于塑封VDMOS器件热点的研究

功率VDMOS器件作为新一代高压大电流功率器件兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,广泛应用于各个领域。由于功率VDMOS的工作条件恶劣,在高温大电压的应用环境下失效概率较大。在所有的失效机制中,很大一部分是由于器件无法承受瞬间高压脉冲,致使器件芯片烧坏失效。表现出的是在芯片某处产生一明显的烧穿点即所谓的"热点"。这里主要介绍了塑封VDMOS器件进行单雪崩能量测试过程和实际应用中不良品产生热点的原因,从二次击穿的角度对其进行理论解释并提出一些改进措施。     

栅条状和蜂窝状结构结势垒肖特基整流器（JBSR）性能对比

栅条状和蜂窝状平面结构的结势垒肖特基整流管（JBSR）的不同之处在于其沟道有效面积的大小不同。从这两种平面结构的结势垒肖特基整流管（JBSR）的工艺和电学特性来看,适当的增大JBSR器件的沟道有效面积,可使JBSR器件的击穿电压得到提高。蜂窝状平面结构JBSR器件的沟道有效面积较栅条状器件的小,开启电压低,但反向耐压不如栅条状平面结构JBSR器件,这可能是因为蜂窝状器件的P+区的缺陷较于栅条状结构器件的多,同样器件的I-V特性也与结构参数密切相关。     

一种新型硅基恒流二极管的特性研究

提出了一种新型硅基环状分布垂直沟道恒流二极管,包括并联的结型场效应晶体管和PIN整流管。建立了器件的数值模型,并利用SILVACO TCAD仿真工具对器件的恒定电流值、击穿电压等特征参数进行模拟。结果显示,该器件工作于正向时,恒流效果好,开启电压约为3 V,击穿电压可达140 V;该器件工作在反向时,表现出良好的整流特性,开启电压约为0.8 V。